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超伝導エレクトロニクス研究会(SCE) [schedule] [select]
専門委員長 藤巻 朗 (名大)
幹事 赤池 宏之 (名大), 柴田 浩行 (NTT)
幹事補佐 明連 広昭 (埼玉大)

日時 2010年10月19日(火) 10:15 - 16:50
議題 超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般 
会場名 機械振興会館地下3階2号室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 地下鉄神谷町駅から徒歩10分
https://www.ieice.org/jpn/about/syozai.html
会場世話人
連絡先
名大 赤池宏之
052-789-3324
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月19日(火) 午前 
座長: 明連広昭(埼玉大学)
10:15 - 11:55
(1) 10:15-10:40 非対称ナノブリッジにおけるボルテクスのラチェット的挙動 SCE2010-24 藤田圭佑梶野顕明早川桂太安 保宇井上真澄藤巻 朗名大
(2) 10:40-11:05 電流バイアスされた固有ジョセフソン接合からのテラヘルツ波放射スペクトルの検討 SCE2010-25 立木 隆内田貴司防衛大
(3) 11:05-11:30 プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性 SCE2010-26 内藤直生人船井辰則丸山千風赤池宏之藤巻 朗名大
(4) 11:30-11:55 Nb-AlOx-Nbジョセフソン接合における臨界電流値バラツキの解析 SCE2010-27 日野出憲治佐藤哲朗永沢秀一日高睦夫国際超電導産技研センター
10月19日(火) 午後 
座長: 吉川信行(横浜国立大学)
13:15 - 14:55
(5) 13:15-13:40 NbN及びMgB2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響 SCE2010-28 御田村直樹内藤直生人赤池宏之藤巻 朗名大)・新原佳紘内藤方夫東京農工大
(6) 13:40-14:05 TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析 SCE2010-29 堤 早希御田村直樹赤池宏之井上真澄藤巻 朗名大
(7) 14:05-14:30 フリップチップ接続による磁場結合方式に基づくSQUIDの評価 SCE2010-30 山田隆宏前澤正明丸山道隆大江武彦浦野千春金子晋久産総研)・日高睦夫佐藤哲朗永沢秀一日野出憲治国際超電導産技研センター)・神代 暁産総研
(8) 14:30-14:55 SSPDアレー化のためのSFQ読み出し動作の実証 SCE2010-31 寺井弘高三木茂人山下太郎牧瀬圭正王 鎮NICT
  14:55-15:10 休憩 ( 15分 )
10月19日(火) 午後 
座長: 日高睦夫(国際超電導産業技術研究センター)
15:10 - 16:50
(9) 15:10-15:35 SFQ回路への光回路の集積 ~ ISTEC Nb standard processIIを用いたコンポーネントの検討 ~ SCE2010-32 有田与希吉川信行馬場俊彦横浜国大
(10) 15:35-16:00 10 kA/cm2プロセスを用いた2並列2段単一磁束量子再構成可能なデータパスの動作実証 SCE2010-33 岡田将和カタエバ イリナ伊藤将人田中雅光赤池宏之藤巻 朗名大/JST)・吉川信行横浜国大/JST)・永沢秀一国際超電導産技研センター/JST)・高木直史京大/JST
(11) 16:00-16:25 10 kA/cm^2 Nb Processを用いたSFQバタフライ演算回路の要素回路の動作評価 SCE2010-34 宮岡史滋島村泰浩貝沼世樹山梨裕希吉川信行横浜国大
(12) 16:25-16:50 Josephson-CMOSハイブリッドメモリのアクセスタイムのアドレス依存性の測定 SCE2010-35 矢口謙太桑原啓太陳 賢珠山梨裕希吉川信行横浜国大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SCE 超伝導エレクトロニクス研究会(SCE)   [今後の予定はこちら]
問合先 赤池宏之(名古屋大学)
TEL:052-789-3324, FAX:052-789-3160
email: aiee-u 


Last modified: 2010-08-20 17:29:53


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