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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大)， 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)， 諸岡 哲 (東芝メモリ)

日時 2018年 1月30日(火)　11:00 - 16:30
議題 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 
会場名 機械振興会館 地下3F 研修1 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて		 以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

1月30日(火) 午前 
11:00 - 16:30
(1) 11:00-11:30 ［招待講演］過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察 SDM2017-91 ○太田裕之・右田真司・池上　努・服部淳一・浅井栄大・福田浩一（産総研）・鳥海　明（東大）
(2) 11:30-12:00 ［招待講演］Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 SDM2017-92 ○加藤公彦・松井裕章・田畑　仁・竹中　充・高木信一（東大）
  12:00-13:30 昼食　（ 90分 ）
(3) 13:30-14:00 ［招待講演］Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術 SDM2017-93 ○溝口恭史・小滝翔平・出口慶明・竹内　健（中大）
(4) 14:00-14:30 ［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ SDM2017-94 ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西　忍・林　倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口　直・門島　勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）
  14:30-15:00 休憩　（ 30分 ）
(5) 15:00-15:30 ［招待講演］STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET SDM2017-95 ○Pablo Stoliar（nanoGUNE）・Alejandro Schulman・Ai Kitoh・Akihito Sawa・Isao H. Inoue（AIST）
(6) 15:30-16:00 ［招待講演］Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties SDM2017-96 ○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima（Univ. of Tokyo）・Shinji Migita（AIST）・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo）
(7) 16:00-16:30 ［招待講演］IEDM2017を振り返って
○高柳万里子（東芝）

講演時間
招待講演発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E--mail: e3 


Last modified: 2017-12-04 16:14:46


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