1月30日(月) 午後  13:00 - 16:55
	13:00-13:10	研究会担当者からのアナウンスなど　（ 10分 ）
(1)	13:10-13:40	［招待講演］セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発 SDM2022-79	○張　文馨（産総研）・余　心仁・洪　子杰・李　耀仁（台湾半導体研究中心）・趙　天生（台湾陽明交通大）・王　永和（台湾成功大）・前田辰郎（産総研）
(2)	13:40-14:10	［招待講演］高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM SDM2022-80	○大嶋和晃・遠藤正己・沼田至優・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川　努・國武寛司（半導体エネルギー研）・小林正治（東大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研）
(3)	14:10-14:40	［招待講演］25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance >107 for eFlash-type MRAM SDM2022-81	H Honjoi・K Nishioka・S Miura・○Hiroshi Naganuma・T Watanabe・T Nasuno・T Tanigawa・Y Noguchi・H Inoue・M Yasuhiro・S Ikeda・T Endoh（Tohoku Univ.）
	14:40-14:55	休憩　（ 15分 ）
(4)	14:55-15:25	［招待講演］RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造 SDM2022-82	○朝羽俊介・古川　大・楠本雄司（東芝デバイス&ストレージ）・飯島良介（東芝）・河野洋志（東芝デバイス&ストレージ）
(5)	15:25-15:55	［招待講演］Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ SDM2022-83	○宮武悠人（東大）・牧野孝太郎・富永淳二・宮田典幸・中野隆志・岡野　誠（産総研）・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹中　充（東大）
(6)	15:55-16:25	［招待講演］未来のテラヘルツ応用に向けた共鳴トンネルダイオード技術 SDM2022-84	○鈴木左文（東工大）
(7)	16:25-16:55	［招待講演］IEDM2022を振り返って ○黒田理人（東北大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	1月研究会担当：高橋芳浩（日大理工） n-u

Last modified: 2023-01-10 15:30:19