研究会 - シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)

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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2013年度)

「from:2013-06-18 to:2013-06-18」による検索結果

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
SDM	2013-06-18 09:00	東京	機械振興会館	酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御 ○加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚　理・財満鎭明（名大） SDM2013-44	Higher-kゲート絶縁膜として着目される六方晶Pr酸化膜の実現に向け，Pr酸化膜形成時のH2O分圧（PH2O）やPr... [more]	SDM2013-44 pp.1-6
SDM	2013-06-18 09:20	東京	機械振興会館	テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成 ○吉田鉄兵・加藤公彦・柴山茂久・坂下満男・田岡紀之・竹内和歌奈・中塚　理・財満鎭明（名大） SDM2013-45	高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には，良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成，お... [more]	SDM2013-45 pp.7-11
SDM	2013-06-18 09:40	東京	機械振興会館	Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 ○柴山茂久・加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚　理・財満鎭明（名大） SDM2013-46	現在，Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸化で，極薄GeOx界面層の形成により，低界面準位密度（Dit）が実現可能と報... [more]	SDM2013-46 pp.13-18
SDM	2013-06-18 10:00	東京	機械振興会館	Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響 ○細井卓治・秀島伊織・箕浦佑也・田中亮平（阪大）・吉越章隆・寺岡有殿（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2013-47	[more]	SDM2013-47 pp.19-23
SDM	2013-06-18 10:35	東京	機械振興会館	HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 ○小橋和義（明大）・長田貴弘・生田目俊秀・山下良之（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2013-48	Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている．しかしながら、high... [more]	SDM2013-48 pp.25-28
SDM	2013-06-18 10:55	東京	機械振興会館	ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化 ○山本圭介・佐田隆宏・王　冬・中島　寛（九大） SDM2013-49	高性能GeチャネルCMOS実現には、寄生抵抗を極限まで低減したメタル・ソース/ドレイン（S/D）の導入が望ましい。我々は... [more]	SDM2013-49 pp.29-32
SDM	2013-06-18 11:15	東京	機械振興会館	InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 ○張　志宇・横山正史・金　相賢（東大）・市川　磨・長田剛規・秦　雅彦（住友化学）・竹中　充・高木信一（東大） SDM2013-50	メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more]	SDM2013-50 pp.33-37
SDM	2013-06-18 11:35	東京	機械振興会館	Fe3Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調：第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史（千葉大） SDM2013-51	[more]	SDM2013-51 pp.39-42
SDM	2013-06-18 11:55	東京	機械振興会館	MONOS型メモリを用いた長期保存メモリの設計指針 ○白川裕規・山口慶太・神谷克政・白石賢二（筑波大） SDM2013-52	[more]	SDM2013-52 pp.43-46
SDM	2013-06-18 13:15	東京	機械振興会館	リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価 ○牧原克典・福岡　諒・張　海・壁谷悠希（名大）・大田晃生（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2013-53	[more]	SDM2013-53 pp.47-50
SDM	2013-06-18 13:35	東京	機械振興会館	Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定石部貴史・中村芳明・○松井秀紀・竹内正太郎・酒井　朗（阪大） SDM2013-54	Si基板上鉄酸化物薄膜は、安価で環境低負荷な抵抗変化型メモリ（ReRAM）材料として期待されている。しかし、ON/OFF... [more]	SDM2013-54 pp.51-55
SDM	2013-06-18 13:55	東京	機械振興会館	シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果 ○上沼睦典（阪大）・番　貴彦・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-55	シリコン酸化膜中にFe3O4ナノ粒子を埋め込むことで安定した抵抗変化スイッチング動作が確認された。バイオ鋳型を用いてナノ... [more]	SDM2013-55 pp.57-60
SDM	2013-06-18 14:15	東京	機械振興会館	SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価 ○大田晃生（広島大）・福嶋太紀・牧原克典（名大）・村上秀樹・東　清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2013-56	[more]	SDM2013-56 pp.61-66
SDM	2013-06-18 14:35	東京	機械振興会館	SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ～ MIS型およびpnダイオード型メモリ～ ○須田良幸・小松辰己・山口伸雄・佐藤芳彦・山田有希乃・山下淳史・塚本貴広（東京農工大） SDM2013-57	金属/トンネル酸化層/SiOx電子捕獲層/n-SiC/n-Si金属‐絶縁体‐半導体（MIS）型（構造）と金属/p型酸化物... [more]	SDM2013-57 pp.67-70
SDM	2013-06-18 15:10	東京	機械振興会館	［依頼講演］POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 ○矢野裕司・畑山智亮・冬木　隆（奈良先端大） SDM2013-58	POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more]	SDM2013-58 pp.71-76
SDM	2013-06-18 15:30	東京	機械振興会館	［依頼講演］SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術 ○細井卓治（阪大）・東雲秀司・柏木勇作・保坂重敏（東京エレクトロン）・中村亮太・中野佑紀・浅原浩和・中村　孝（ローム）・木本恒暢（京大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2013-59	[more]	SDM2013-59 pp.77-80
SDM	2013-06-18 15:50	東京	機械振興会館	［依頼講演］SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 ○先﨑純寿・下里　淳・田中保宣・奥村　元（産総研） SDM2013-60	超低損失SiC-MOSパワーデバイスの実用化のため，SiC-MOS構造の高性能・高信頼性化は重要な課題である．我々はSi... [more]	SDM2013-60 pp.81-86
SDM	2013-06-18 16:10	東京	機械振興会館	［依頼講演］熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 ○渡部平司・チャンタパンアタウット（阪大）・中野佑紀・中村　孝（ローム）・細井卓治・志村考功（阪大） SDM2013-61	熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に，その改... [more]	SDM2013-61 pp.87-90
SDM	2013-06-18 16:45	東京	機械振興会館	［依頼講演］SiC酸化メカニズム解明への試み～ Si酸化との共通点/異なる点～ ○土方泰斗・八木修平・矢口裕之（埼玉大） SDM2013-62	SiC半導体を用いたパワーMOSFETが従来のSi系パワーデバイスを凌駕するには，SiC酸化メカニズムのより一層の理解が... [more]	SDM2013-62 pp.91-96
SDM	2013-06-18 17:05	東京	機械振興会館	［依頼講演］FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析 ○喜多浩之（東大/JST）・平井悠久（東大） SDM2013-63	[more]	SDM2013-63 pp.97-100

著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

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