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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE)  (検索条件: 2013年度)

「from:2013-12-13 to:2013-12-13」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2013-12-13
09:35
東京 機械振興会館 カプセル型キャビティを用いた微小金属半導体レーザーの設計
張 柏富沖本拓也種村拓夫中野義昭東大LQE2013-125
微小金属InP/InGaAsレーザーの実現に向けて,新規のカプセル型キャビティ構造を提案し, Q値,閉じ込め係数,発振閾... [more] LQE2013-125
pp.1-6
LQE 2013-12-13
10:00
東京 機械振興会館 液体ガラスを用いた量子井戸混晶化とその面発光レーザ応用に関する研究
阿久津友宏牛尾拓也菊池麻子松谷晃宏宮本智之東工大LQE2013-126
液体ガラス(SOG)を用いた量子構造混晶化を面発光レーザに適用し,活性層内のキャリア閉じ込めを行った.ノンドープSOGを... [more] LQE2013-126
pp.7-10
LQE 2013-12-13
10:25
東京 機械振興会館 マイクロマシンを用いたアサーマル面発光レーザの波長掃引特性
中濱正統佐野勇人坂口孝浩松谷晃宏小山二三夫東工大LQE2013-127
面発光レーザにマイクロマシン反射鏡を集積したMEMS VCSELは,将来の短距離光インターコネクション用光源として期待さ... [more] LQE2013-127
pp.11-14
LQE 2013-12-13
10:50
東京 機械振興会館 オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの消費電力検討
平谷拓生土居恭平厚地祐輝雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2013-128
近年、LSIの微細化による配線遅延や発熱の影響が無視できなくなってきており、電気配線の光配線への代替が有望視されている。... [more] LQE2013-128
pp.15-20
LQE 2013-12-13
11:15
東京 機械振興会館 InP/Siハイブリッド光デバイスにおける複数機能一括貼り付け形成のための構造検討
鈴木純一福田渓太林 侑介姜 晙炫渥美裕樹西山伸彦荒井滋久東工大LQE2013-129
直接貼り付けを用いたIII-V/Siハイブリッド集積は、ワンチップ光ルータの実現において有力な方法である。今回、光ルータ... [more] LQE2013-129
pp.21-26
LQE 2013-12-13
13:10
東京 機械振興会館 [奨励講演]オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展
進藤隆彦二見充輝土居恭平平谷拓生雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2013-130
LSI内のグローバル配線層の代替として、我々はこれまで半導体薄膜構造を用いたオンチップ光集積回路を提案してきた。オンチッ... [more] LQE2013-130
pp.27-32
LQE 2013-12-13
13:35
東京 機械振興会館 [奨励講演]不等間隔アレイ型チューナブルLDを用いた背面波長モニタ
望月敬太有賀 博三菱電機LQE2013-131
DWDMシステムにおいて、光源である波長チューナブルLDの高出力化が進んでいる。チューナブル光モジュールは、出射波長を安... [more] LQE2013-131
pp.33-36
LQE 2013-12-13
14:00
東京 機械振興会館 歪補償多重積層InAs量子ドットを用いた1.55um帯半導体光増幅器
赤羽浩一山本直克梅沢俊匡菅野敦史呂 國偉川西哲也NICTLQE2013-132
 [more] LQE2013-132
pp.37-40
LQE 2013-12-13
14:25
東京 機械振興会館 全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板を用いた1550 nm帯20層積層QD-SOAの特性評価
松本 敦松下明日香武井勇樹早大)・赤羽浩一NICT)・松島裕一宇高勝之早大LQE2013-133
光論理ゲート素子に向け、歪補償技術を用いて量子ドット(QD)を20層積層した量子ドット半導体光増幅器(QD-SOA)を作... [more] LQE2013-133
pp.41-44
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