研究会 - 集積回路研究会 (ICD) - 検索条件: 2006年度

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集積回路研究会 (ICD) (検索条件: 2006年度)

「from:2006-08-17 to:2006-08-17」による検索結果

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
ICD, SDM (共催)	2006-08-18 10:15	北海道	北海道大学	45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果 ○岡山康則・齋藤友博・大石　周・中嶋一明・松尾浩司・谷口修一・小野高稔・中山和宏・渡辺竜太・英保亜弓・菰田泰生・木村泰己・濱口雅史・竹川陽一・青山知憲（東芝）	[more]	SDM2006-145 ICD2006-99 pp.115-120
ICD, SDM (共催)	2006-08-18 10:50	北海道	北海道大学	［特別招待講演］バルクCMOS 向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発 ○山口晋平・田井香織・平野智之・安藤崇志・檜山　進・Junli Wang・萩本賢哉・長濱嘉彦・加藤孝義・長野　香・山中真由美・寺内早苗・神田さおり・山本　亮・館下八州志（ソニー）	[more]	SDM2006-146 ICD2006-100 pp.121-126
ICD, SDM (共催)	2006-08-18 11:40	北海道	北海道大学	hp32 nm ノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk FinFETで構成されたSRAM技術について川崎博久（東芝アメリカ電子部品）・○稲葉　聡・岡野王俊・金子明生（東芝）・八木下淳史（東芝アメリカ電子部品）・泉田貴士・金村貴永・佐々木貴彦・大塚伸朗・青木伸俊・須黒恭一・江口和弘・綱島祥隆（東芝）・石丸一成（東芝アメリカ電子部品）・石内秀美（東芝）	[more]	SDM2006-147 ICD2006-101 pp.127-132
ICD, SDM (共催)	2006-08-18 12:05	北海道	北海道大学	超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発 ○今岡　進（ルネサスデザイン）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・増田康浩（ルネサスデザイン）・薮内　誠・塚本康正・大林茂樹・五十嵐元繁・冨田和朗・坪井信生・牧野博之・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ）	65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more]	SDM2006-148 ICD2006-102 pp.133-136
ICD, SDM (共催)	2006-08-18 12:30	北海道	北海道大学	リード／ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法 ○鈴木利一（松下電器）・山内寛行（福岡工大）・山上由展・里見勝治・赤松寛範（松下電器）	2ポートSRAMメモリセルは、リード／ライト同時ディスターブ・アクセスにおいても、メモリセルの動作マージンを保つ必要があ... [more]	SDM2006-149 ICD2006-103 pp.137-141
ICD, SDM (共催)	2006-08-18 13:45	北海道	北海道大学	［特別招待講演］Deep Pipelined SRAM Design for High Performance Processor ○浅野　融（日本IBM）	プロセッサの性能はSRAMのパフォーマンスに依存している。最先端のサブマイクロンテクノロジーでは、配線遅延が無視できなく... [more]	SDM2006-150 ICD2006-104 pp.143-147
ICD, SDM (共催)	2006-08-18 14:35	北海道	北海道大学	65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路 ○薮内　誠・大林茂樹・新居浩二・塚本康正（ルネサステクノロジ）・今岡　進（ルネサスデザイン）・五十嵐元繁・竹内雅彦・川島　光・牧野博之・山口泰男・塚本和宏・犬石昌秀・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ）	[more]	SDM2006-151 ICD2006-105 pp.149-153
ICD, SDM (共催)	2006-08-18 15:00	北海道	北海道大学	しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発 ○野口紘希（神戸大）・森田泰弘（金沢大）・藤原英弘・川上健太郎・宮越純一（神戸大）・三上真司（金沢大）・新居浩二・川口　博・吉本雅彦（神戸大）	[more]	SDM2006-152 ICD2006-106 pp.155-160
ICD, SDM (共催)	2006-08-18 15:25	北海道	北海道大学	多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響 ○倉田英明・大津賀一雄・小田部　晃・梶山新也・長部太郎・笹子佳孝（日立）・鳴海俊一・冨上健司・蒲原史朗・土屋　修（ルネサステクノロジ）	フラッシュメモリにおいて、ランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による閾値変動を初めて確認した。 90nmプロセス... [more]	SDM2006-153 ICD2006-107 pp.161-166

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