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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
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情報システム研究会 (IEE-IS)
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マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
SR
2024-05-20
14:50
鹿児島
勤労者交流センター(鹿児島)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]ミリ波 帯 Radio Unit (RU) に向けたデバイス開発
○
小林 純
・
志村利宏
・
大橋洋二
・
本田 敦
・
川野陽一
・
鈴木俊秀
・
関 宏之
(
富士通
)
SR2024-6
スマートフォンに代表されるモバイル端末とAugmented Reality (AR)やVirtual Reality(V...
[more]
SR2024-6
p.28
CPM
,
ED
,
EID
,
SDM
,
ICD
,
MRIS
,
SCE
,
OME
,
EMD
(共催)
QIT
(併催)
[詳細]
2018-03-08
13:50
静岡
東レ総合研修センター
[招待講演]Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望
○
原 直紀
・
高橋 剛
・
川野陽一
・
中舍安宏
(
富士通/富士通研
)
EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なト...
[more]
EMD2017-73
MR2017-44
SCE2017-44
EID2017-46
ED2017-118
CPM2017-138
SDM2017-118
ICD2017-123
OME2017-67
pp.9-10
ED
2016-12-19
15:05
宮城
東北大通研ナノ・スピン棟
[招待講演]InPデバイス、CMOSデバイスによるミリ波・テラヘルツ波回路技術
○
川野陽一
(
富士通研
)
ED2016-82
[more]
ED2016-82
pp.13-16
ED
2016-01-20
15:05
東京
機械振興会館
[依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化
○
高橋 剛
・
川野陽一
・
牧山剛三
・
芝 祥一
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通研
)
ED2015-118
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM...
[more]
ED2015-118
pp.37-41
MW
,
ED
(共催)
2015-01-16
13:00
東京
機械振興会館
電流再利用型広帯域ゲート接地増幅器MMICとその応用
○
佐藤 優
・
芝 祥一
・
川野陽一
・
松村宏志
・
高橋 剛
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2014-130 MW2014-194
[more]
ED2014-130
MW2014-194
pp.77-81
ED
,
MW
(共催)
2014-01-16
10:55
東京
機械振興会館
カスケード位相比較器を用いたミリ波PLLシンセサイザ
○
松村宏志
・
川野陽一
・
佐藤 優
・
大島武典
・
志村利宏
・
鈴木俊秀
・
大橋洋二
(
富士通
)・
原 直紀
(
富士通研
)
ED2013-114 MW2013-179
カスケード位相比較器を用いた新しいPLLアーキテクチャを提案する。このアーキテクチャは低位相雑音と低スプリアスを同時に実...
[more]
ED2013-114
MW2013-179
pp.25-28
ED
2013-12-16
13:15
宮城
東北大通研
[招待講演]超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用
○
佐藤 優
・
川野陽一
・
芝 祥一
・
松村宏志
・
高橋 剛
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2013-91
電子デバイス技術の進展に伴い100 GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた.いずれの...
[more]
ED2013-91
pp.7-11
ICD
,
ITE-IST
(連催)
2012-07-27
11:40
山形
山形大学米沢キャンパス
[招待講演]90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC
○
神田浩一
(
富士通研
)・
川野陽一
・
佐々木孝朗
・
白井徳明
・
田村哲朗
・
川井重明
・
工藤真大
・
村上智敏
(
富士通セミコンダクター
)・
中本裕之
(
富士通研
)・
長谷川延正
・
加納英樹
(
富士通セミコンダクター
)・
峰山亜希子
・
大石和明
(
富士通研
)・
島 昌司
・
田村直義
(
富士通セミコンダクター
)
ICD2012-28
[more]
ICD2012-28
pp.65-70
ED
,
MW
(共催)
2010-01-15
09:30
東京
機械振興会館
75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
○
中舍安宏
・
川野陽一
・
鈴木俊秀
(
富士通
)・
多木俊裕
(
富士通研
)・
高橋 剛
・
牧山剛三
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2009-190 MW2009-173
[more]
ED2009-190
MW2009-173
pp.87-92
SDM
,
ED
(共催)
2009-06-24
14:00
海外
海雲台グランドホテル(釜山、韓国)
[招待講演]準ミリ波・ミリ波帯CMOSパワー増幅器
○
鈴木俊秀
・
川野陽一
(
富士通/富士通研
)・
佐藤 優
(
富士通研
)・
中舍安宏
・
廣瀬達哉
(
富士通/富士通研
)・
原 直紀
(
富士通研
)・
常信和清
(
富士通/富士通研
)
ED2009-50 SDM2009-45
本論文は90 nm CMOS技術を用いた準ミリ波・ミリ波帯のパワーアンプに関する。準ミリ波アンプは20GHzで線形利得1...
[more]
ED2009-50
SDM2009-45
pp.1-4
ED
2008-12-19
15:55
宮城
東北大学電気通信研究所
W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発
○
中舍安宏
・
川野陽一
・
鈴木俊秀
(
富士通
)・
多木俊裕
(
富士通研
)・
高橋 剛
・
牧山剛三
(
富士通
)・
廣瀬達哉
(
富士通研
)・
原 直紀
(
富士通
)
ED2008-189
10 Gb/sを超えるインパルス無線通信装置の実現に向け、70-100 GHzミリ波帯で動作するウェーブレット(波束)送...
[more]
ED2008-189
pp.27-32
MW
,
EMCJ
(共催)
2008-10-23
16:45
山形
山形大学(米沢)
ミリ波帯CMOSパワーアンプ
○
鈴木俊秀
・
川野陽一
・
佐藤 優
・
廣瀬達哉
・
原 直紀
・
常信和清
(
富士通研
)
EMCJ2008-67 MW2008-111
あらまし ミリ波帯で設計可能なトランジスタの独自モデルとパラメータの開発、さらに配線ロスを低減する整合回路設計技術を用...
[more]
EMCJ2008-67
MW2008-111
pp.47-51
ED
2007-11-27
14:20
宮城
東北大学 電気通信研究所
ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器
○
中舍安宏
・
川野陽一
・
鈴木俊秀
(
富士通
)・
多木俊裕
(
富士通研
)・
高橋 剛
・
牧山剛三
(
富士通
)・
廣瀬達哉
(
富士通研
)・
原 直紀
(
富士通
)
ED2007-189
10 Gb/sを超えるインパルス方式伝送装置の実現に向け,0.13 um InP HEMTを用いて短パルス発生器を開発し...
[more]
ED2007-189
pp.11-16
ED
,
MW
(共催)
2006-01-18
13:55
東京
機械振興会館
InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路
○
鈴木俊秀
・
川野陽一
・
中舎安宏
・
牧山剛三
・
高橋 剛
・
原 直紀
・
廣瀬達哉
(
富士通研
)
0.13um InP系HEMT技術を用いて,40Gbit/s以上で動作可能なデジタルICを開発した.新規開発したマルチフ...
[more]
ED2005-193
MW2005-147
pp.7-12
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