| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2015-05-28 13:50 |
東京 | 電気通信大 | マイクロ波加熱用GaN-on-Siトランジスタの大信号モデル ○クリスター アンダーソン・山口裕太郎・弥政和宏・河村由文・坂田修一・山中宏治・福本 宏（三菱電機）  MW2015-21 |
マイクロ波加熱に使用するGaNonSiトランジスタの大信号モデルについて報告する。マイクロ波加熱ではCW動作を行うため、... [more] | MW2015-21 pp.1-5 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:40 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析 山口修造・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 |
GaNショットキーバリアダイオード(SBD)を高電力で使用する場合，逆方向だけでなく、順方向にも大きな電圧が印加される。... [more] | ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 pp.35-39 |
| WPT, MW (共催) |
2015-04-16 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 高耐圧GaAs SBDを用いた5.8GHz帯高効率整流器の試作結果 ○中村茉里香・山口裕太郎・津留正臣・相原育貴・山本敦士・本間幸洋・谷口英司（三菱電機） WPT2015-5 MW2015-5 |
宇宙太陽光発電システム等のマイクロ波電力伝送システムの受電部に用いられる整流器には, 高入力電力時におけるRF-DC変換... [more] | WPT2015-5 MW2015-5 pp.21-25 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング ○山口裕太郎・南條拓真・小山英寿・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2014-129 MW2014-193 |
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] | ED2014-129 MW2014-193 pp.71-76 |
| WPT | 2014-06-06 13:55 |
東京 | 東京大学 | 高耐圧GaAsショットキーバリアダイオードを用いた5.8GHz帯高効率整流器の検討 ○田中俊行・山口裕太郎・津留正臣・相原育貴・山本敦士・本間幸洋・谷口英司（三菱電機） WPT2014-25 |
宇宙太陽光発電システムなどのマイクロ波電力伝送システムの受電部に用いられる整流器には，高入力電力時に高いRF-DC変換効... [more] | WPT2014-25 pp.5-10 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討 ○山口裕太郎・大石敏之・大塚浩志・吉岡貴章・小山英寿・鮫島文典・津山祥紀・山中宏治（三菱電機） ED2012-121 MW2012-151 |
SSPS(Space Solar Power Stations/System)向けGaN HEMT高効率増幅器について報... [more] | ED2012-121 MW2012-151 pp.49-52 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） ED2012-125 MW2012-155 |
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について，実測とTCADシミュレーションの両方から解析した．まず，ピンチ... [more] | ED2012-125 MW2012-155 pp.69-74 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET ○金澤 徹・寺尾良輔・山口裕太郎・池田俊介・米内義晴・加藤 淳・宮本恭幸（東工大） ED2010-188 MW2010-148 |
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] | ED2010-188 MW2010-148 pp.69-73 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]