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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2011-07-29 16:10 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | SiNx絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価 ○村松 徹・三浦健輔・白鳥悠太・葛西誠也（北大）  ED2011-43 |
半導体電界効果トランジスタ（FET）の微細化に伴い素子自身が発する雑音が増大しており，雑音特性の理解と制御が重要になって... [more] | ED2011-43 pp.31-34 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 09:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討 ○中野雄紀・三浦健輔・白鳥悠太（北大）・葛西誠也（北大/JST） ED2010-200 SDM2010-235 |
同期型ナノワイヤ集積回路の構成要素として，GaAs系ナノワイヤをショットキーラップゲートで制御した電荷結合素子（Char... [more] | ED2010-200 SDM2010-235 pp.49-52 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 12:00 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴 ○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔・中野雄紀（北大） ED2010-206 SDM2010-241 |
熱ゆらぎによって駆動される量子ドット並列加算ネットワークにおける単電子確率共鳴に関し，ドットばらつきの効果についてシミュ... [more] | ED2010-206 SDM2010-241 pp.79-82 |
| ED | 2010-09-13 14:30 |
福岡 | 九州工業大（若松キャンパス） | GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討 ○葛西誠也（北大/JST）・三浦健輔・白鳥悠太（北大） ED2010-125 |
GaAsエッチングナノワイヤFETによるTHz信号センシングについて述べる．デバイスを低温で動作させ量子化コンダクタンス... [more] | ED2010-125 pp.13-17 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 14:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析 ○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔（北大） ED2009-199 SDM2009-196 |
量子ドットの単電子充放電プロセスにおける確率共鳴的挙動を理論的に解析した．確率共鳴とはゆらぎによって系の応答が高まる現象... [more] | ED2009-199 SDM2009-196 pp.17-21 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討 ○白鳥悠太・三浦健輔（北大）・葛西誠也（北大/JST） ED2009-208 SDM2009-205 |
半導体ナノワイヤネットワークを主体とした，再構成可能な二分決定グラフ(BDD)論理回路について述べる．この回路では，シャ... [more] | ED2009-208 SDM2009-205 pp.71-76 |
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