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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2016-04-14 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計 ○小池洋紀・三浦貞彦・本庄弘明・渡辺俊成・佐藤英夫・佐藤創志・那須野 孝・野口靖夫・安平光雄・谷川高穂・丹羽正昭・伊藤顕知・池田正二・大野英男・遠藤哲郎（東北大）  ICD2016-10 |
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な，高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧（Vref）生成回路，... [more] | ICD2016-10 pp.51-56 |
| ICD | 2014-04-17 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ～ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ～ 大澤 隆・○小池洋紀（東北大）・三浦貞彦（NEC）・木下啓蔵（東北大）・本庄弘明（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2014-7 |
[more] | ICD2014-7 pp.33-38 |
| ICD | 2014-04-17 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［パネル討論］システムを構成するメモリ、システムに浸透するメモリ 三輪 達（サンディスク）・○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・藤田 忍（東芝）・小池洋紀（東北大）・竹内 健（中大） ICD2014-9 |
近年の新しい不揮発性メモリの発展は単に高集積のメモリチップの実現にとどまらず、その特徴を生かしたシステムづくりにも議論の... [more] | ICD2014-9 p.45 |
| ICD | 2014-04-18 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ ○小池洋紀（東北大）・崎村 昇・根橋竜介・辻 幸秀・森岡あゆ香・三浦貞彦・本庄弘明・杉林直彦（NEC）・大澤 隆・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2014-17 |
磁気トンネル接合素子（MTJ）による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路（NV-F/F）を用いた，パワーゲーティング... [more] | ICD2014-17 pp.85-90 |
| ICD | 2013-04-11 14:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ～ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ～ ○遠藤哲郎・大澤 隆・小池洋紀（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明・徳留圭一（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男（東北大） ICD2013-6 |
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] | ICD2013-6 pp.27-32 |
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