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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 15:10 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性 ○菅原健太・渡辺隆之・ヤダフ ディピカ・込山貴大・布施吉貴（東北大）・リジー マキシム（会津大）・リジー ヴィクトール・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一（東北大）  ED2017-91 |
デュアルゲートグラフェンFET(DG-GFET)の相互コンダクタンスの温度特性に関する実験結果を報告する．SiC基板の熱... [more] | ED2017-91 pp.73-76 |
| ED | 2015-12-22 10:05 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | グラフェン二重層ヘテロ構造を用いたテラヘルツ放出または検出に関する研究 ○Deepika Yadav・Stephane Boubanga Tombet・Stevanus Arnold・渡辺隆之（RIEC Tohoku Univ.）・Victor Ryzhii（Inst. of Ultra High Freq. Semicond. Elect. Russia）・尾辻泰一（RIEC Tohoku Univ.） ED2015-103 |
We report on experimental observation of terahertz emission ... [more] | ED2015-103 pp.71-76 |
| ED | 2013-12-17 13:30 |
宮城 | 東北大通研 | ［招待講演］Novel concepts and technology for terahertz device applications using graphene ○Victor Ryzhii・Akira Satou（Tohoku Univ.）・Maxim Ryzhii（Univ. of Aizu）・Taiichi Otsuji（Tohoku Univ.） ED2013-106 |
本稿では，グラフェンを使ったテラヘルツデバイス応用の研究に関する進展について報告する．グラフェン特有の電子・光学特性を活... [more] | ED2013-106 pp.91-96 |
| EST | 2013-05-10 13:00 |
神奈川 | NTT厚木研究開発センター | グラフェンにおけるテラヘルツ二次元プラズモンのシミュレーションによる解析 ○佐藤 昭・ヴィクトール リズィー（東北大）・ウラジミール ミッティン・フェデール ヴァスコ（ニューヨーク州立大バッファロー校）・尾辻泰一（東北大） EST2013-4 |
格子ゲート構造を有するグラフェンチャネルにおけるテラヘルツ二次元プラズモンの解析を目的とし、ボルツマン方程式と自己無撞着... [more] | EST2013-4 pp.15-20 |
| ED | 2012-12-17 15:40 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | 光パルス励起によるグラフェン内テラヘルツ反転分布形成 ○佐藤 昭・リズィー ヴィクトール・栗田裕記・尾辻泰一（東北大） ED2012-98 |
光パルス励起された真性グラフェン内の非平衡キャリア緩和過程ならびにテラヘルツ帯反転分布形成の理論的解析を行なった。キャリ... [more] | ED2012-98 pp.29-33 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 16:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化 ○高塚裕也・高萩和宏（北大）・佐野栄一（北大/JST）・Victor Ryzhii（会津大/JST）・尾辻泰一（東北大/JST） ED2011-148 SDM2011-165 |
テラヘルツ(THz)領域を活用するためには，小型なTHz光源の開発が必須である．我々はTHz光源の元となるTHz増幅器の... [more] | ED2011-148 SDM2011-165 pp.35-40 |
| ED | 2011-12-15 13:40 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | 光学励起グラフェンのテラヘルツ誘導増幅放出 ○渡辺隆之・ステファン ボウバンガ トムベット・福嶋哲也・佐藤 昭・尾辻泰一（東北大）・ヴィクトール リズィー（会津大） ED2011-114 |
我々は時間分解計測により、グラフェンシートが入射テラヘルツ電磁波を増幅することを確認した。グラフェンからの放射スペクトル... [more] | ED2011-114 pp.79-83 |
| ED | 2010-12-16 16:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器 ○高塚裕也（北大）・佐野栄一（北大/JST）・リズィー ヴィクトール（会津大/JST）・尾辻泰一（東北大/JST） ED2010-162 |
テラヘルツ領域を活用するためには，小型なテラヘルツ光源の開発が必須である．テラヘルツ光源の元となるテラヘルツ増幅器の開発... [more] | ED2010-162 pp.25-29 |
| ED | 2010-12-16 16:25 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布 ○佐藤 昭（東北大）・ヴィクトール リズィー（会津大）・ステファン ボウバンガ-トムベット・尾辻泰一（東北大） ED2010-163 |
パルス光学励起された真性グラフェンにおける室温での反転分布の理論解析を行う。キャリア緩和過程の 解析のため、キャリア間... [more] |
ED2010-163 pp.31-34 |
| ED | 2010-12-16 16:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ナノサイズFETによる室温コヒーレント・電圧制御テラヘルツ波発振 ○ステファン ボウバンガ-トムベット・佐藤 昭（東北大）・ヴィクトー ル リズィー（会津大）・尾辻泰一（東北大） ED2010-164 |
We report on reflective electro-optic sampling measurements ... [more] | ED2010-164 pp.35-39 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 11:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器 ○Victor Ryzhii・Maxim Ryzhii（会津大）・Taiichi Otsuji（東北大）・Vladimir Mitin（ニューヨーク州立大） ED2009-209 SDM2009-206 |
Detectors of terahertz and infrared radiation based on p-i-n... [more] | ED2009-209 SDM2009-206 pp.77-80 |
| ED | 2009-11-30 10:30 |
大阪 | 大阪科学技術センター | 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測 ○唐澤宏美・渡辺隆之・小森常義（東北大）・末光眞希（東北大/JST）・ヴィクトール リーズィー（会津大/JST）・尾辻泰一（東北大/JST） ED2009-169 |
炭素原子の六員環単層シートであるグラフェンは、バンドギャップを持たず、線形分散をとるため、半導体とは異なる特異な電子物性... [more] | ED2009-169 pp.53-58 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 13:30 |
北海道 | 北海道大学 | ［招待講演］Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用 ○尾辻泰一・末光哲也・姜 顯澈・唐澤宏美・宮本 優・半田浩之・末光眞希（東北大）・佐野栄一（北大）・リズィー マキシム・リズィー ヴィクトール（会津大） ED2008-224 SDM2008-216 |
Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する．グラフェンの形成技術として... [more] | ED2008-224 SDM2008-216 pp.1-6 |
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