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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2023-11-24 16:55 |
ONLINE | オンライン開催 | ［特別招待講演］マイクロトランスファープリンティング法による薄膜LNプラットフォーム上メンブレン光デバイス ○前田圭穂・西 英隆・Nikolaos-Panteleimon Diamantopoulos・藤井拓郎・相原卓磨・山岡 優・開 達郎・武田浩司・瀬川 徹（NTT）・太田泰友（慶大）・岩本 敏・荒川泰彦（東大）・松尾慎治（NTT）  OCS2023-56 OPE2023-106 LQE2023-53 |
マイクロトランスファープリンティング法を用いて、薄膜LN導波路・マッハツェンダ型変調器とメンブレンレーザ・SOAをヘテロ... [more] | OCS2023-56 OPE2023-106 LQE2023-53 pp.34-36 |
| OCS, LQE, OPE (共催) |
2023-10-19 13:50 |
高知 | 高知共済会館 COMMUNITY SQUARE （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiC基板上メンブレンレーザへのスポットサイズ変換器集積 ～ ファイバ結合光出力増大とファイバアンプフリー100 GBaud信号伝送 ～ ○山岡 優・相原琢磨・ニコラウスーパデレイモン ディアマドプロス・西 英隆・藤井拓郎・前田圭穂・杉山弘樹・開 達郎・武田浩司・瀬川 徹・松尾慎治（NTT） OCS2023-31 OPE2023-86 LQE2023-33 |
これまでにSiC基板上メンブレンレーザは最高速の直接変調を実現しているが，SiCの屈折率は2.6と比較的高いため，$Si... [more] | OCS2023-31 OPE2023-86 LQE2023-33 pp.24-27 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 11:40 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大） ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 |
本調査では、成長条件が異なる２種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] | ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 pp.77-80 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 11:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | 大口径Si基板（6インチ&8インチ）上のAlN、AlGaNの高速成長 ○徳永裕樹・生方映徳・矢野良樹・山岡優哉・山口 晃・田渕俊也（大陽日酸）・松本 功（大陽日酸EMC） ED2012-69 CPM2012-126 LQE2012-97 |
[more] | ED2012-69 CPM2012-126 LQE2012-97 pp.17-20 |
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