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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2018-04-20
10:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例
澤田陽平山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹藪内 誠ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘伊東恭二日本システムウエア)・田中信二新居浩二蒲原史郎ルネサス エレクトロニクスICD2018-8
 [more] ICD2018-8
pp.29-32
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
10:40
北海道 北海道大学情報教育館 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
藪内 誠新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘日本システムウエア)・山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹蒲原史朗ルネサス エレクトロニクスSDM2017-33 ICD2017-21
 [more] SDM2017-33 ICD2017-21
pp.13-16
SDM 2016-10-26
15:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2016-71
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2016-71
pp.15-20
SDM 2016-10-26
16:10
宮城 東北大学未来研 [招待講演]基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2016-72
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] SDM2016-72
pp.21-25
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
10:20
熊本 熊本市 半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発
新川田裕樹坪井信生ルネサス エレクトロニクス)・津田淳史ルネサス システムデザイン)・佐藤伸吾関西大)・山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2015-58 ICD2015-27
量産段階での活用を目指した狭いスクライブライン領域に搭載可能なアレイTEGを開発した。HSD-S(High sensit... [more] SDM2015-58 ICD2015-27
pp.7-10
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