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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 16:05 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 超格子GeTe/Sb2Te3メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション ○小川湧太郎・野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大）  SDM2019-33 |
超格子GeTe/Sb2Te3は次世代不揮発性メモリとして期待されているInterfacial Phase Change ... [more] | SDM2019-33 pp.39-42 |
| SDM | 2018-06-25 15:55 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討 ○野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大） SDM2018-24 |
[more] | SDM2018-24 pp.37-41 |
| SDM | 2017-11-09 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション ○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則（名大）・寒川義裕・柿本浩一（九大） SDM2017-61 |
これまでのGaNのMOVPE成長シミュレーションではトリメチルガリウム（TMG）とアンモニアがまず反応してアダクトが形成... [more] | SDM2017-61 pp.1-4 |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| SDM | 2014-06-19 13:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 第一原理計算を用いたSi-rich SiO2への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察 ○白川裕規・山口慶太（筑波大）・神谷克政（神奈川工科大）・白石賢二（名大） SDM2014-52 |
MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor ) 型メモリは、堅牢な電荷... [more] | SDM2014-52 pp.49-53 |
| SDM | 2013-06-18 11:55 |
東京 | 機械振興会館 | MONOS型メモリを用いた長期保存メモリの設計指針 ○白川裕規・山口慶太・神谷克政・白石賢二（筑波大） SDM2013-52 |
[more] | SDM2013-52 pp.43-46 |
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