お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 6件中 1~6件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
16:55
北海道 北海道大学(百年記念会館) Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET
前澤宏一伊藤泰平角田 梓中山幸二安井雄一郎森 雅之富山大)・宮崎英志水谷 孝名大ED2012-135 SDM2012-164
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] ED2012-135 SDM2012-164
pp.39-42
SANE 2012-10-12
11:00
海外 The SONGDO CONVENSIA, Incheon Korea Current status of the SPRINT-A/EXCEED mission under development
Atsushi YamazakiKazunori UemizuKoji NakayaSeisuke FukudaShin-ichiro SakaiShujiro SawaiJAXASANE2012-106
 [more] SANE2012-106
pp.273-276
SANE 2011-10-17
15:30
海外 Udayana University, Bali, Indonesia SPRINT-A and SPRINT-Series in ISAS/JAXA
Munetaka UenoSeisuke FukudaKoji NakayaShin-ichiro SakaiKazunori UemizuShinsuke TakeuchiHiroyuki ToyotaAkio KukitaTomohiko SakaiShun OkazakiJAXA)・Ichiro YoshikawaUniv. of Tokyo)・Atsushi YamazakiTakeshi TakashimaKazushi AsamuraShujiro SawaiJAXASANE2011-73
 [more] SANE2011-73
pp.53-56
ED 2011-07-30
13:55
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製
角田 梓岩杉達矢中谷公彦中山幸二森 雅之前澤宏一富山大ED2011-55
我々はこれまでに、Si(111)基板上に1原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を... [more] ED2011-55
pp.91-96
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
09:00
愛知 名古屋大学 VBL 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長
森 雅之中山幸二中谷公彦安井雄一郎前澤宏一富山大ED2011-19 CPM2011-26 SDM2011-32
 [more] ED2011-19 CPM2011-26 SDM2011-32
pp.95-98
SANE 2009-06-25
13:45
茨城 JAXA筑波宇宙センター JAXAの50kg級小型衛星技術の産学への技術移転
中谷幸司高山慎一郎河原宏昭堀川雄太村上尚美堀口博司平子敬一橋本英一JAXASANE2009-21
 [more] SANE2009-21
pp.35-40
 6件中 1~6件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会