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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 ○宇治田信二・森田竜夫・梅田英和・木下雄介・田村聡之・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック）  ED2012-122 MW2012-152 |
低電圧DC-DCコンバータ用途として、Siショットキーバリアダイオード（SBD）を集積化したノーマリオフGaNトランジス... [more] | ED2012-122 MW2012-152 pp.53-56 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード ○柴田大輔・海原一裕・村田智洋・山田康博・森田竜夫・按田義治・石田昌宏・石田秀俊・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2011-137 MW2011-160 |
[more] | ED2011-137 MW2011-160 pp.101-105 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計 ○中澤敏志・鶴見直大・西嶋将明・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2011-139 MW2011-162 |
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力化および高利得化に向けてフィールドプレート構造を適用し、小信号RF特性から... [more] | ED2011-139 MW2011-162 pp.111-115 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 ○梅田英和・鈴木朝実良・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2010-184 MW2010-144 |
Si基板に空乏層を形成することで，同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する，いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] | ED2010-184 MW2010-144 pp.51-54 |
| ED | 2010-12-17 10:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス ○酒井啓之・黒田正行・根来 昇・村田智洋・永井秀一・西嶋将明・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2010-167 |
準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を... [more] | ED2010-167 pp.53-58 |
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