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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 13:05 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 ○船戸 充・小林敬嗣・川上養一（京大）  ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97 |
有機金属気相成長法により，[1bar{mathrm{1}}00]方向に3傾斜したAlN(0001)基板上に，分子層(M... [more] | ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97 pp.89-92 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 15:20 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 ○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡 研（ウシオ電機）・船戸 充・川上養一（京大） ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 |
AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である．その物理的原因として，p型のホ... [more] | ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 pp.37-40 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 10:20 |
京都 | 京都大学 | Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製 ○内田裕行（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） |
GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition：ISBT)はフェムト... [more] | ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67 pp.63-67 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT ○三好実人（名工大/日本ガイシ）・今西 敦・石川博康・江川孝志（名工大）・浅井圭一郎・柴田智彦・田中光浩・小田 修（日本ガイシ） |
100mm径エピタキシャルAlN/サファイア上へのAl0.26Ga0.74N/AlN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を... [more] | ED2004-217 MW2004-224 pp.31-35 |
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