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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2017-11-17 13:45 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | MIS-CELIV法による有機半導体薄膜の正孔移動度評価 ○片桐千帆（山形大/阪大）・中山健一（阪大/山形大）  OME2017-28 |
MIS-CELIV（injection-charge extraction by linearly increasing... [more] | OME2017-28 pp.7-10 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 13:10 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 ○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中 亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田 淳（京大） ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 |
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効... [more] | ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 pp.21-25 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 10:00 |
京都 | 京都大学 | 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） EID2014-13 SDM2014-108 |
原子論的な手法である強束縛（Tight Binding）近似法と原子価力場（Valence Force Field）モデ... [more] | EID2014-13 SDM2014-108 pp.1-6 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 10:15 |
京都 | 京都大学 | pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性 ○藤原寛朗・森岡直也・田中 一・須田 淳・木本恒暢（京大） EID2014-14 SDM2014-109 |
幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$，$langle$110$rangle$，$langl... [more] | EID2014-14 SDM2014-109 pp.7-11 |
| OME | 2014-10-10 13:15 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | インピーダンス分光法を用いた有機感光体のドリフト移動度の評価 ○阿部聡一郎・甲田直也・小林隆史・永瀬 隆（阪府大）・鈴木信二郎・小川祐治・寺崎成史（富士電機）・内藤裕義（阪府大） OME2014-40 |
本研究では、インピーダンス分光 (IS) 法を用いて有機感光体 (OPC：Organic Photoconductor... [more] | OME2014-40 pp.15-19 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-27 14:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 高移動度を有する正孔輸送性アモルファス分子材料を用いる有機薄膜太陽電池の作製と評価 ○景山 弘（琉球大）・大森 裕（阪大）・城田靖彦（福井工大） SDM2012-3 OME2012-3 |
高い正孔移動度を有する新規アモルファス分子材料、tris[4-(2-thienyl)phenyl]amineおよびtri... [more] | SDM2012-3 OME2012-3 pp.9-13 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2012-01-20 14:20 |
愛知 | 名古屋大学 | 紫外光照射下における酸化チタン薄膜の電子と正孔の移動度 ○渡邉悠介・村本裕二・清水教之（名城大） OME2011-75 |
酸化チタン(TiO2)は紫外光を吸収することで、光触媒として働く。これは紫外光によって価電子帯の電子が伝導帯に励起される... [more] | OME2011-75 pp.35-39 |
| OME, OPE (共催) |
2010-11-12 13:50 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | TPD蒸着膜の熱重合による正孔輸送層の形成 室山雅和・市田杏子・田尻亜弥子・加藤大智・田中邦明・乙木栄志・○臼井博明（東京農工大） OME2010-56 OPE2010-126 |
テトラフェニルジアミノビフェニルのジビニル誘導体DvTPDを蒸着し，引き続き加熱することによって重合膜を形成した．200... [more] | OME2010-56 OPE2010-126 pp.7-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 09:50 |
北海道 | 北海道大学 | シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果 ○鄭 然周・Chen Jiezhi・更屋拓哉・平本俊郎（東大） ED2008-234 SDM2008-226 |
NW(nanowire) pFET及びSHT(single-hole transistor)における一軸歪みの効果を報告... [more] | ED2008-234 SDM2008-226 pp.59-62 |
| MoNA, IPSJ-MBL (共催) |
2008-05-22 14:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Hole Punchingを用いたNAT越えMobile PPCの設計 ○鈴木秀和・渡邊 晃（名城大） |
IPv4ネットワークにおいて移動透過性を実現する技術として，End-to-Endでそれを可能とするMobile PPC（... [more] | MoMuC2008-12 pp.69-74 |
| OME, EID (共催) |
2007-03-05 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ペンタセン多結晶膜における横方向キャリア伝導 ～ ホール輸送障壁と結晶内有効質量 ～ ○松原亮介・中村雅一・工藤一浩（千葉大） |
有機TFTの特性は電極に起因する様々な影響によって制限される。これに対し我々は、電極の影響を取り除き、材料の真の移動度を... [more] | OME2006-133 EID2006-90 pp.7-11 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-18 11:10 |
北海道 | 函館国際ホテル | 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証 ○筒井 元・齋藤真澄・平本俊郎（東大） |
短チャネル効果抑制の観点から，極薄SOI MOSFETは将来有望なデバイス構造として期待されている．極薄SOI MOSF... [more] | SDM2005-133 ICD2005-72 pp.31-36 |
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