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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 11:35 |
宮城 | 東北大・通研 | 新規摩擦誘起成膜法による層状半導体MoS2の結晶成長 ○伊藤孝郁・田邊匡生・小山 裕（東北大）  ED2018-67 |
半導体デバイスプロセスにおける半導体結晶の新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。成膜する... [more] | ED2018-67 pp.53-56 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-18 14:30 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | 摩擦プロセスを活用するカルコゲナイド系2D層状半導体MoS2薄膜の形成 伊藤孝郁・○田邉匡生・松永晃典・小山 裕（東北大） ED2017-75 |
半導体デバイスプロセスにおける新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。非線形光学デバイスに... [more] | ED2017-75 pp.13-14 |
| SDM | 2016-06-29 16:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成 ○大橋 匠・松浦賢太朗（東工大）・石原聖也・日比野祐介・澤本直美（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大） SDM2016-46 |
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから，柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] | SDM2016-46 pp.75-78 |
| SDM | 2015-06-19 17:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価 ○森 貴洋（産総研）・二之宮成樹（横浜国大）・内田紀行・久保利隆（産総研）・渡辺英一郎・津谷大樹・森山悟士（物質・材料研究機構）・田中正俊（横浜国大）・安藤 淳（産総研） SDM2015-56 |
極薄ボディトランジスタとして注目を集めるMoS2 MOSFETを、high-k/metalゲートを適用し試作、評価した結... [more] | SDM2015-56 pp.99-103 |
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