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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2016-11-11 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高品位Si，Ge基板の開発に資する第一原理計算 ～ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ～ ○末岡浩治（岡山県立大）  SDM2016-87 |
最近10年間において，半導体シリコン（Si）結晶中の真性点欠陥，すなわち原子空孔（V）と自己格子間原子（I）の物性や挙動... [more] | SDM2016-87 pp.49-54 |
| SDM | 2016-10-26 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］最先端LSIプロセスにおける重金属汚染の制御 ○嵯峨幸一郎（ソニー） SDM2016-69 |
半導体デバイスの多様化にともない、DRAMトレンチキャパシタ、CMOSイメージセンサ、高耐圧トランジスタなどSi基板の深... [more] | SDM2016-69 pp.1-8 |
| CPM | 2010-09-10 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | 遷移金属含有低純度Siを用いた太陽電池の製作 ○都築 暁・武田大樹・佐野裕紀・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） CPM2010-87 |
現在、多結晶Si太陽電池は製造コストが高く、低コスト化が望まれている。従来の多結晶Si製造法であるシーメンス法を用いずに... [more] | CPM2010-87 pp.37-40 |
| SDM | 2009-12-04 14:30 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象 ○原 明人・佐藤 功（東北学院大） SDM2009-163 |
多結晶シリコン薄膜は薄膜トランジスタや太陽電池材料として注目されているが、それらのデバイスの性能・効率・信頼性の向上のた... [more] | SDM2009-163 pp.63-65 |
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