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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-10-19 16:30 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | ［招待講演］CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上 ○細井卓治（関西学院大）・志村考功・渡部平司（阪大）  SDM2022-62 |
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている．SiC MOSFET... [more] | SDM2022-62 pp.34-37 |
| SDM | 2015-01-27 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-143 |
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs（TFETs）のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] | SDM2014-143 pp.33-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 14:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | 65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価 ○大島 梓・岸田 亮・籔内美智太郎・小林和淑（京都工繊大） SDM2014-79 ICD2014-48 |
近年の集積回路の微細化に伴い, BTIやアンテナダメージの影響が深刻化してい る。本研究では, 65nm バルク・S... [more] |
SDM2014-79 ICD2014-48 pp.93-98 |
| SDM | 2013-12-13 17:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 ○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-132 |
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが，しきい値電圧の... [more] | SDM2013-132 pp.97-100 |
| NLP | 2006-07-04 10:20 |
石川 | 金沢大学大学院自然科学研究科 | Predicting Voltage Instability of Power System Based on Hybrid System Reachability Analysis ○Yoshihiko Susuki・Takashi Hikihara（Kyoto Univ.） |
[more] | NLP2006-36 pp.13-18 |
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