Print edition: ISSN 0913-5685
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OPE2006-15
凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ
○阪本真一・内藤秀幸・田村茂雄・丸山武男・荒井滋久(東工大)
pp. 1 - 6
OPE2006-16
高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作
○伊賀龍三・近藤康洋・竹下達也・岸 健志・湯田正宏(NTT)
pp. 7 - 10
OPE2006-17
AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減
○足立光一朗・中原宏治・葛西淳一・北谷 健・土屋朋信・青木雅博(日立)・近藤正彦(阪大)
pp. 11 - 14
OPE2006-18
1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ ~ 20℃~90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作 ~
○石田 充・羽鳥伸明(東大)・大坪孝二・山本剛之(光協会/富士通/富士通研)・中田義昭・江部広治(東大)・菅原 充(光協会/富士通/富士通研/QDレーザ)・荒川泰彦(東大)
pp. 15 - 20
OPE2006-19
ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善
○西本頼史・タノーム ブルームウォンロート(東工大)・丸山武男・荒井滋久(東工大/JST)
pp. 21 - 24
OPE2006-20
40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発
○八田竜夫(光協会/三菱電機/阪大)・宮原利治・宮崎泰典・高木和久・松本啓資・青柳利隆(光協会/三菱電機)・三科 健・丸田章博・北山研一(阪大)
pp. 25 - 30
OPE2006-21
InGaAs/InAlAs 5層非対称結合量子井戸を用いたMach-Zehnder干渉計型光スイッチ
○荒川太郎・中駄良成・三宅浩明・内村貴弘(横浜国大)・多田邦雄(金沢工大)
pp. 31 - 34
OPE2006-22
InGaAs/InAlAs二重結合量子井戸を用いた小型・低電圧電気光学位相変調器
○大江英輝・雨宮智宏(東大)・清水大雅・中野義昭(東大/SORST)
pp. 35 - 38
OPE2006-23
Optical nonlinear phase-shifter using vertical micro-cavity with saturable absorber
○Satoshi Suda・Go Hirano・Fumio Koyama(Tokyo Inst. of Tech.)・Nobuhiko Nishiyama・Catherine Caneau・Chung-En Zah(Corning)
pp. 39 - 42
OPE2006-24
選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果光偏向器・光スイッチに関する研究
○茂木瑞穂・吉岡太一・清水 優・下村和彦(上智大)
pp. 43 - 48
OPE2006-25
半導体ディジタル・アナログ変換器の動作特性に関する基礎検討
○澤田憲吾・植之原裕行(東工大)
pp. 49 - 54
OPE2006-26
シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 ~ 四光波混合光の発生 ~
○加藤正夫・倉持栄一・新家昭彦・田辺孝純・納富雅也(NTT)
pp. 55 - 58
OPE2006-27
アクセス系用広帯域光分岐回路
○石川 弘・白田知之・大川正浩・鈴木 仁・堀江 誠(日立電線)
pp. 59 - 62
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.