Print edition: ISSN 0913-5685
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LQE2006-19
凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ
○阪本真一・内藤秀幸・田村茂雄・丸山武男・荒井滋久（東工大）
pp. 1 - 6
LQE2006-20
高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作
○伊賀龍三・近藤康洋・竹下達也・岸 健志・湯田正宏（NTT）
pp. 7 - 10
LQE2006-21
AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減
○足立光一朗・中原宏治・葛西淳一・北谷 健・土屋朋信・青木雅博（日立）・近藤正彦（阪大）
pp. 11 - 14
LQE2006-22
1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ ～ 20℃～90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作 ～
○石田 充・羽鳥伸明（東大）・大坪孝二・山本剛之（光協会/富士通/富士通研）・中田義昭・江部広治（東大）・菅原 充（光協会/富士通/富士通研/QDレーザ）・荒川泰彦（東大）
pp. 15 - 20
LQE2006-23
ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善
○西本頼史・タノーム ブルームウォンロート（東工大）・丸山武男・荒井滋久（東工大/JST）
pp. 21 - 24
LQE2006-24
40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発
○八田竜夫（光協会/三菱電機/阪大）・宮原利治・宮崎泰典・高木和久・松本啓資・青柳利隆（光協会/三菱電機）・三科 健・丸田章博・北山研一（阪大）
pp. 25 - 30
LQE2006-25
InGaAs/InAlAs 5層非対称結合量子井戸を用いたMach-Zehnder干渉計型光スイッチ
○荒川太郎・中駄良成・三宅浩明・内村貴弘（横浜国大）・多田邦雄（金沢工大）
pp. 31 - 34
LQE2006-26
InGaAs/InAlAs二重結合量子井戸を用いた小型・低電圧電気光学位相変調器
○大江英輝・雨宮智宏（東大）・清水大雅・中野義昭（東大/SORST）
pp. 35 - 38
LQE2006-27
Optical nonlinear phase-shifter using vertical micro-cavity with saturable absorber
○Satoshi Suda・Go Hirano・Fumio Koyama（Tokyo Inst. of Tech.）・Nobuhiko Nishiyama・Catherine Caneau・Chung-En Zah（Corning）
pp. 39 - 42
LQE2006-28
選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果光偏向器・光スイッチに関する研究
○茂木瑞穂・吉岡太一・清水 優・下村和彦（上智大）
pp. 43 - 48
LQE2006-29
半導体ディジタル・アナログ変換器の動作特性に関する基礎検討
○澤田憲吾・植之原裕行（東工大）
pp. 49 - 54
LQE2006-30
シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 ～ 四光波混合光の発生 ～
○加藤正夫・倉持栄一・新家昭彦・田辺孝純・納富雅也（NTT）
pp. 55 - 58
LQE2006-31
アクセス系用広帯域光分岐回路
○石川 弘・白田知之・大川正浩・鈴木 仁・堀江 誠（日立電線）
pp. 59 - 62
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．