Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2007-273
二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田 忍（東芝）
pp. 1 - 6
SDM2007-274
酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価
○柴田 宏・大岩朝洋・徳光永輔（東工大）
pp. 7 - 12
SDM2007-275
Characteristics of metal-ferroelectric-insulartor-semiconductor structures based on poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)
○Joo Won Yoon・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech）
pp. 13 - 16
SDM2007-276
先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術
渡辺直也（くまもとテクノ）・岩崎 裕・○浅野種正（九大）
pp. 17 - 20
SDM2007-277
常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術
○田中直敬・吉村保廣・川下道宏（日立）・植松俊英・内藤孝洋・赤沢 隆（ルネサステクノロジ）
pp. 21 - 26
SDM2007-278
先端不揮発性メモリの将来展望とその積層化に関する基礎検討
○渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 27 - 32
SDM2007-279
独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタを用いたLSIの新設計法
○廣島 佑・岡本恵介・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 33 - 38
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．