Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2008-146
SiC結晶のイオン注入活性化アニール過程における結晶回復と点欠陥の再配置
○服部 亮・渡辺友勝・炭谷博昭・大森達夫（三菱電機）・三谷武志（東レリサーチセンター）
pp. 127 - 132
ED2008-147
GaN縦型パワーデバイスの最近の進展
○加地 徹（豊田中研）
pp. 133 - 138
ED2008-148
4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発
○池田成明・賀屋秀介・李 江・古川拓也・佐藤義浩・加藤禎宏（古河電工）
pp. 139 - 142
ED2008-149
低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード
○鎌田 厚（新日本無線）・江川孝志（名工大）
pp. 143 - 148
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．