Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SCE2010-24
非対称ナノブリッジにおけるボルテクスのラチェット的挙動
○藤田圭佑・梶野顕明・早川桂太・安 保宇・井上真澄・藤巻 朗（名大）
pp. 1 - 5
SCE2010-25
電流バイアスされた固有ジョセフソン接合からのテラヘルツ波放射スペクトルの検討
○立木 隆・内田貴司（防衛大）
pp. 7 - 12
SCE2010-26
プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性
○内藤直生人・船井辰則・丸山千風・赤池宏之・藤巻 朗（名大）
pp. 13 - 18
SCE2010-27
Nb-AlOx-Nbジョセフソン接合における臨界電流値バラツキの解析
○日野出憲治・佐藤哲朗・永沢秀一・日高睦夫（国際超電導産技研センター）
pp. 19 - 24
SCE2010-28
NbN及びMgB2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響
○御田村直樹・内藤直生人・赤池宏之・藤巻 朗（名大）・新原佳紘・内藤方夫（東京農工大）
pp. 25 - 30
SCE2010-29
TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析
○堤 早希・御田村直樹・赤池宏之・井上真澄・藤巻 朗（名大）
pp. 31 - 36
SCE2010-30
フリップチップ接続による磁場結合方式に基づくSQUIDの評価
○山田隆宏・前澤正明・丸山道隆・大江武彦・浦野千春・金子晋久（産総研）・日高睦夫・佐藤哲朗・永沢秀一・日野出憲治（国際超電導産技研センター）・神代 暁（産総研）
pp. 37 - 42
SCE2010-31
SSPDアレー化のためのSFQ読み出し動作の実証
○寺井弘高・三木茂人・山下太郎・牧瀬圭正・王 鎮（NICT）
pp. 43 - 48
SCE2010-32
SFQ回路への光回路の集積 ～ ISTEC Nb standard processIIを用いたコンポーネントの検討 ～
○有田与希・吉川信行・馬場俊彦（横浜国大）
pp. 49 - 54
SCE2010-33
10 kA/cm2プロセスを用いた2並列2段単一磁束量子再構成可能なデータパスの動作実証
○岡田将和・カタエバ イリナ・伊藤将人・田中雅光・赤池宏之・藤巻 朗（名大/JST）・吉川信行（横浜国大/JST）・永沢秀一（国際超電導産技研センター/JST）・高木直史（京大/JST）
pp. 55 - 60
SCE2010-34
10 kA/cm^2 Nb Processを用いたSFQバタフライ演算回路の要素回路の動作評価
○宮岡史滋・島村泰浩・貝沼世樹・山梨裕希・吉川信行（横浜国大）
pp. 61 - 66
SCE2010-35
Josephson-CMOSハイブリッドメモリのアクセスタイムのアドレス依存性の測定
○矢口謙太・桑原啓太・陳 賢珠・山梨裕希・吉川信行（横浜国大）
pp. 67 - 71
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．