Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2012-89
SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究
○諏訪智之・寺本章伸（東北大）・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・須川成利・服部健雄・大見忠弘（東北大）
pp. 1 - 4
SDM2012-90
AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価
○岡田葉月・小松 新・渡辺将人（東京都市大）・泉 雄大・室 隆圭介（高輝度光科学研究センター）・澤野憲太郎・野平博司（東京都市大）
pp. 5 - 9
SDM2012-91
微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価
○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）
pp. 11 - 14
SDM2012-92
Noise Performance of Accumulation MOSFETs
○Philippe Gaubert・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）
pp. 15 - 20
SDM2012-93
PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス
○中尾幸久・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利・大見忠弘（東北大）
pp. 21 - 26
SDM2012-94
［特別講演］シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道
○大見忠弘・中尾幸久・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利（東北大）
pp. 27 - 32
SDM2012-95
Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator
○Min Liao（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroshi Ishiwara（Konkuk Univ.）・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
pp. 33 - 36
SDM2012-96
Effect of silicon surface roughness on MOSFET performance with ultra-thin HfON gate insulator formed by ECR sputtering
○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
pp. 37 - 40
SDM2012-97
シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術
○酒井 健・吉田達朗（東北大）・吉川和博（東北大/アプリシアテクノロジー）・大見忠弘（東北大）
pp. 41 - 45
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．