Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2020-22
［招待講演］SISPAD2020レビュー
○相馬聡文（神戸大）
pp. 1 - 4
SDM2020-23
［招待講演］古典ＭＤで再現されたHigh-kゲートスタックの界面ダイポール
○渡邉孝信（早大）
pp. 5 - 10
SDM2020-24
［招待講演］大規模第一原理計算とデバイス・プロセスシミュレータ統合に向けて
○押山 淳（名大）
pp. 11 - 14
SDM2020-25
［招待講演］第一原理計算とマテリアルズ・インフォマティクスに基づくペロブスカイト型酸化物の誘電率予測モデル
○野田祐輔（金沢学院大）
pp. 15 - 20
SDM2020-26
［招待講演］裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出
○國清辰也・佐藤英則・神野 健・飯塚康治・園田賢一郎・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 21 - 24
SDM2020-27
A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors
○Yen Le Thi（Hanoi University of Science and Technology）・Yoshinari Kamakura（Osaka Institute of Technology）・Nobuya Mori（Graduate School of Engineering, Osaka University,）
pp. 25 - 27
SDM2020-28
モンテカルロシミュレーションによる微細Siワイヤのフォノンの平均自由行程の解析
○鈴木悠平・藤田悠摩（阪工大）・ファウジア ホティマトゥル・野北崇人・池田浩也（静岡大）・渡邉孝信（早大）・鎌倉良成（阪工大）
pp. 28 - 31
SDM2020-29
［招待講演］ゲート電圧波形の機械学習を用いたパワーデバイスの劣化推定
山崎大夢・宮崎耕太郎・羅 揚・イスラム マーフズル・畑 勝裕・桜井貴康・○高宮 真（東大）
pp. 32 - 35
SDM2020-30
［招待講演］Si IGBTの３次元デバイス・シミュレーション ～ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ～
○執行直之・渡辺正裕・角嶋邦之・星井拓也・古川和由（東工大）・中島 昭（産総研）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・若林 整・宗田伊里也（東工大）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大）
pp. 36 - 40
SDM2020-31
［招待講演］反応性力場分子動力学計算および量子化学計算を活用したCVD/ALD薄膜堆積機構の解析
○徳増 崇・上根直也・馬渕拓哉（東北大）・財津 優・安原重雄（JAC）
pp. 41 - 46
SDM2020-32
［招待講演］絶縁膜原子層エッチングにおける加工特性の定量考察
○久保井信行（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 47 - 51
SDM2020-33
［招待講演］ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション
○森 伸也・橋本風渡・三島嵩也・田中 一（阪大）
pp. 52 - 57
SDM2020-34
［招待講演］第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション
○浅井栄大（産総研）・黒田龍哉（阪大）・福田浩一・服部淳一・池上 努（産総研）・森 伸也（阪大）
pp. 58 - 62
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．