Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2020-27
電磁界結合型2分の1波長共振器フィルタの設計理論に関する研究
○二ッ矢幹基・石崎俊雄（龍谷大）
pp. 1 - 6
ED2020-28
複数放射素子・複数共振器で構成される3直交軸成分放射60 GHz帯平面アンテナの測定評価
○大平昌敬・馬 哲旺（埼玉大）
pp. 7 - 12
ED2020-29
異なるタイミングの位相情報を用いたTime to Digital Converterの試作結果
○森野芳昭・津留正臣（三菱電機）
pp. 13 - 16
ED2020-30
2周波混合ベクトル合成型移相器を用いたV帯受信RFICの試作結果
○横溝真也・森野芳昭・津留正臣（三菱電機）
pp. 17 - 21
ED2020-31
HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価
○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大）
pp. 22 - 25
ED2020-32
異なるトラップを持つAlGaN/GaN HEMTにおける2次元デバイスシミュレーションによるサイドゲート効果の解析
○伊藤海到・大石敏之（佐賀大）
pp. 26 - 29
ED2020-33
β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析
○上村崇史・中田義昭・東脇正高（NICT）
pp. 30 - 33
ED2020-34
界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化
○熊崎祐介・多木俊裕・小谷淳二・尾崎史朗（富士通/富士通研）・新井田佳孝（富士通研）・美濃浦優一（富士通/富士通研）・西森理人（富士通）・岡本直哉（富士通/富士通研）・佐藤 優・中村哲一（富士通研）・渡部慶二（富士通/富士通研）
pp. 34 - 37
ED2020-35
InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討
○谷口慶伍（東京理科大）・細谷友崇（東北大）・楳田洋太郎・高野恭弥（東京理科大）・末光哲也・佐藤 昭（東北大）
pp. 38 - 43
ED2020-36
ゲート容量負荷部の高調波処理によるCMOSスタック増幅器の高効率化検討
○竹添慎司・森野芳昭・津留正臣（三菱電機）
pp. 44 - 48
ED2020-37
［招待講演］次世代電力増幅器の高効率化技術と歪み補償技術
○山岡敦志・ホーン トーマス・江頭慶真・山口恵一（東芝）
pp. 49 - 54
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．