Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2026-15
［招待講演］酸化物透明導電膜におけるサイズ効果 ～ 膜厚10nm以下でのキャリア輸送制御 ～
○山本哲也（高知工科大）
pp. 1 - 4
ED2026-16
ミストCVD法で作製した銀薄膜の熱処理条件と局在表面プラズモン共鳴波長の関係
○水本 圭・大橋亮介・Htet Su Wai・Sohaib Hassan（高知工科大）・川原村敏幸（高知工大総研）
pp. 5 - 6
ED2026-17
ナノ酸化物を用いた薄膜トランジスタとセンサー応用
○廣瀬文彦（山形大）
pp. 7 - 9
ED2026-18
ミストCVD法による、Cu2O薄膜作製に向けた最適条件の検討
○大橋亮介・渡邉千晶・吉田龍馬・水本 圭・ソハイブ ハサン・ヘテット ス ワイ・川原村敏幸（高知工科大）
pp. 10 - 11
ED2026-19
ミストCVDによるデラフォサイト型PdCoO2薄膜作製への挑戦
○吉田龍馬（高知工科大）・大橋亮介・水本 圭・森岡侑哉・ヘッテト スーウェイ・リュウ クン・ソハイブ ハッサン・川原村敏幸（高知工大）
pp. 12 - 13
ED2026-20
加熱イオン注入により作製したGa2O3 CAVETの電気的特性
○森原 淳（阪公立大）・松尾大輔・金野 舜・臼井洸佑・竹村真哉（日新イオン機器）・Wang Zhenwei（NICT）・Ferreyra A. Romualdo（阪公立大）・吉永純也（日本酸素）・伊庭義騎・寺内悠真（東京農工大）・田中浩平（日新イオン機器）・熊谷義直（東京農工大）・東脇正高（阪公立大）
pp. 14 - 17
ED2026-21
Siイオン注入したAlOx絶縁膜を有するGa2O3 MOSキャパシタの電気的特性および界面準位密度
○小路啓太（阪公立大）・松尾大輔・金野 舜・臼井洸佑・田中浩平（日新イオン機器）・東脇正高（阪公立大）
pp. 18 - 21
ED2026-22
CSD法による酸化ガリウム薄膜の成膜プロセスの検討と紫外線検出特性
○小山政俊・中野有貴・榎 駿介・中嶋颯良・小池一歩・藤井彰彦・前元利彦（阪工大）
pp. 22 - 25
ED2026-23
原料組成を変えてミストCVD法により作製したIGZO薄膜の特性評価
○渡邉千晶・大橋亮介・ソハイブ ハッサン・ヘテット ス ワイ・川原村敏幸（高知工科大）
pp. 26 - 27
ED2026-24
ミスト反応場において合成される(InxGa1-x)2O3の結晶相
○川原村敏幸・HASSAN Sohaib・MONDAL Abhay Kumar・劉 坤・WAI Htet Su（高知工大）
pp. 28 - 29
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．