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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-27 11:20 AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 ○バラトフ アリ・小澤渉至・山下隼平・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）  ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 |
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| 抄録 | （和） | 小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特性との比較に関する報告が少ない。本研究ではZrO2とSiO2のMIS-HEMTとSG-HEMTを半絶縁性SiCの上にAl0.25Ga0.75N/GaNエピウェーハを用いて試作した。s-パラメータ測定とロードプル測定を行い、MIS構造とSG構造の大信号特性を比較した。それぞれのサンプルの高電界電子ドリフト速度も測定し、構造による特性変化の原因について考察した。 |
| （英） | Several groups have reported improved performance in GaN-based transistors employing metal-insulator-semiconductor (MIS) structures over their Schottky-gate (SG) device counterparts. However, to the best of authors’ knowledge, large signal characteristics of those devices are rarely discussed or compared. In this study we have fabricated (ZrO2, SiO2) MIS and SiN passivated SG HEMTs, using Al0.25Ga0.75N/GaN epitaxially grown on semi-insulating SiC substrates. S-parameters were measured and subsequent de-embedding calculations were performed to quantify parasitic components. Alongside with small signal parameters, large signal load-pull measurements were performed. Electron mobility of gateless devices was also measured and compared. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN HEMT / MIS-HEMT / 高周波特性 / s-パラメータ / LP測定 / / / |
| （英） | AlGaN/GaN HEMT / MIS-HEMT / high frequency performance / s-parameters / LP measurements / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 255, CPM2020-37, pp. 60-62, 2020年11月. | |
| 資料番号 | CPM2020-37 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improved performance in GaN-based HEMTs with insulated gate structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | MIS-HEMT / MIS-HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波特性 / high frequency performance |
| キーワード(4)（和/英） | s-パラメータ / s-parameters |
| キーワード(5)（和/英） | LP測定 / LP measurements |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | バラトフ アリ / Ali Baratov / バラトフ アリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小澤 渉至 / Takashi Ozawa / タカシ オザワ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 隼平 / Shunpei Yamashita / ヤマシタ シュンペイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | アスバル ジョエル タクラ / Joel T. Asubar / アスバル ジョエル タクラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda / トクダ ヒロクニ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 関西学院大学 (略称： 関西学院大) Kwansei Gakuin University (略称： Kwansei Gakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-27 11:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2020-16, CPM2020-37, LQE2020-67 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.60-62 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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