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講演抄録/キーワード
講演名 2021-10-27 10:30
Cu-TSVのためのSiNx膜の低温堆積法に関する検討
佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2021-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2021-21
抄録 (和) 3次元集積回路におけるCuを用いたシリコン貫通ビアでは、絶縁膜の200℃以下での堆積法を実現することが望まれている。そこで本研究では、反応性スパッタ法とラジカル処理を組み合わせた堆積法とその得られたSiNx膜の特性について検討した。その結果、通常の反応性スパッタ法と比べて、反応性スパッタ法とラジカル処理を組み合わせた堆積法の方が、良好なSiNx膜が得られることが明らかとなった。このことから、反応性スパッタ法とラジカル処理を組み合わせた堆積法は、絶縁膜の低温作製の堆積法の1つとなり得る可能性がある。 
(英) For Cu through silicon via in the 3D-LSI, It is desired to realize a deposition method of an insulating film less than 200℃. In this study, deposition method combining reactive sputtering and radical treatment and characteristics of SiNx films of this method were examined. As a result, it was clarified that an excellent SiNx film can be obtained by the deposition method combining the reactive sputtering method and the radical treatment as compared with the usual reactive sputtering method. Therefore, a deposition method that combines a reactive sputtering method and a radical treatment may be one of the deposition methods of SiNx film for low-temperature preparation.
キーワード (和) 3次元集積回路 / シリコン貫通ビア / 反応性スパッタ / ラジカル処理 / 低温作製 / SiNx膜 / /  
(英) 3D-LSI / through silicon via / reactive sputtering / radical treatment / low temperature deposition / SiNx film / /  
文献情報 信学技報, vol. 121, no. 220, CPM2021-21, pp. 5-7, 2021年10月.
資料番号 CPM2021-21 
発行日 2021-10-20 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2021-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2021-21

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2021-10-27 - 2021-10-27 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 
テーマ(英) Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectrics, transparent conductors / semiconductors, etc.) thin film processes / materials / devices, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2021-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Cu-TSVのためのSiNx膜の低温堆積法に関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study on the low-temperature deposition method of SiNx film for Cu-TSV 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 3次元集積回路 / 3D-LSI  
キーワード(2)(和/英) シリコン貫通ビア / through silicon via  
キーワード(3)(和/英) 反応性スパッタ / reactive sputtering  
キーワード(4)(和/英) ラジカル処理 / radical treatment  
キーワード(5)(和/英) 低温作製 / low temperature deposition  
キーワード(6)(和/英) SiNx膜 / SiNx film  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル
第1著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ
第2著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-10-27 10:30:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2021-21 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.220 
ページ範囲 pp.5-7 
ページ数
発行日 2021-10-20 (CPM) 


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