講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-10-27 10:30
Cu-TSVのためのSiNx膜の低温堆積法に関する検討 ○佐藤 勝・武山真弓(北見工大) CPM2021-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2021-21 |
抄録 |
(和) |
3次元集積回路におけるCuを用いたシリコン貫通ビアでは、絶縁膜の200℃以下での堆積法を実現することが望まれている。そこで本研究では、反応性スパッタ法とラジカル処理を組み合わせた堆積法とその得られたSiNx膜の特性について検討した。その結果、通常の反応性スパッタ法と比べて、反応性スパッタ法とラジカル処理を組み合わせた堆積法の方が、良好なSiNx膜が得られることが明らかとなった。このことから、反応性スパッタ法とラジカル処理を組み合わせた堆積法は、絶縁膜の低温作製の堆積法の1つとなり得る可能性がある。 |
(英) |
For Cu through silicon via in the 3D-LSI, It is desired to realize a deposition method of an insulating film less than 200℃. In this study, deposition method combining reactive sputtering and radical treatment and characteristics of SiNx films of this method were examined. As a result, it was clarified that an excellent SiNx film can be obtained by the deposition method combining the reactive sputtering method and the radical treatment as compared with the usual reactive sputtering method. Therefore, a deposition method that combines a reactive sputtering method and a radical treatment may be one of the deposition methods of SiNx film for low-temperature preparation. |
キーワード |
(和) |
3次元集積回路 / シリコン貫通ビア / 反応性スパッタ / ラジカル処理 / 低温作製 / SiNx膜 / / |
(英) |
3D-LSI / through silicon via / reactive sputtering / radical treatment / low temperature deposition / SiNx film / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 220, CPM2021-21, pp. 5-7, 2021年10月. |
資料番号 |
CPM2021-21 |
発行日 |
2021-10-20 (CPM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
CPM2021-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2021-21 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM |
開催期間 |
2021-10-27 - 2021-10-27 |
開催地(和) |
オンライン開催 |
開催地(英) |
Online |
テーマ(和) |
機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 |
テーマ(英) |
Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectrics, transparent conductors / semiconductors, etc.) thin film processes / materials / devices, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
CPM |
会議コード |
2021-10-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
Cu-TSVのためのSiNx膜の低温堆積法に関する検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Study on the low-temperature deposition method of SiNx film for Cu-TSV |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
3次元集積回路 / 3D-LSI |
キーワード(2)(和/英) |
シリコン貫通ビア / through silicon via |
キーワード(3)(和/英) |
反応性スパッタ / reactive sputtering |
キーワード(4)(和/英) |
ラジカル処理 / radical treatment |
キーワード(5)(和/英) |
低温作製 / low temperature deposition |
キーワード(6)(和/英) |
SiNx膜 / SiNx film |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
第1著者 所属(和/英) |
北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ |
第2著者 所属(和/英) |
北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第3著者 所属(和/英) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2021-10-27 10:30:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
CPM |
資料番号 |
CPM2021-21 |
巻番号(vol) |
vol.121 |
号番号(no) |
no.220 |
ページ範囲 |
pp.5-7 |
ページ数 |
3 |
発行日 |
2021-10-20 (CPM) |