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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)

日時 2016年11月10日(木) 10:00 - 16:40
2016年11月11日(金) 10:00 - 16:30
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線・・・・・・・神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/index.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月10日(木) 午前 
座長: 廣木彰(京都工繊大)
10:00 - 12:00
(1) 10:00-11:00 [招待講演]SISPAD 2016レビュー (1) SDM2016-79 園田賢一郎ルネサス エレクトロニクス
(2) 11:00-12:00 [招待講演]SiC トレンチ型DMOS(TED MOS)のチャネル特性に関する研究 SDM2016-80 手賀直樹久本 大島 明生嶋本泰洋日立
  12:00-13:30 昼食 ( 90分 )
11月10日(木) 午後 
座長: 園田賢一郎 (ルネサス エレクトロ二クス)
13:30 - 15:30
(3) 13:30-14:30 [招待講演]Potential and Prospects of Low-Energy SOI Devices in Sensor Network Era SDM2016-81 Yasuhisa OmuraKansai Univ.
(4) 14:30-15:30 [招待講演]フリーキャリア密度に依存したGeのバンドギャップとフォノン周波数 ~ 半導体のバンドは本当に『リジッド』なのか? ~ SDM2016-82 株柳翔一鳥海 明東大
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
11月10日(木) 午後 
座長: 林洋一(ラピスセミコンダクタ)
15:40 - 16:40
(5) 15:40-16:40 [招待講演]ISFETの構造が感度に与える影響のシミュレーション SDM2016-83 松澤一也東芝
11月11日(金) 午前 
座長: 安斎久浩 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
10:00 - 12:00
(6) 10:00-11:00 [招待講演]SISPAD 2016 レビュー (2) SDM2016-84 鎌倉良成阪大
(7) 11:00-12:00 [招待講演]ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究 SDM2016-85 望月和浩産総研
  12:00-13:30 昼食 ( 90分 )
11月11日(金) 午後 
座長: 小田嘉則(慶應義塾大学)
13:30 - 15:30
(8) 13:30-14:30 [招待講演]チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 ~ 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して ~ SDM2016-86 土屋敏章島根大
(9) 14:30-15:30 [招待講演]高品位Si,Ge基板の開発に資する第一原理計算 ~ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ~ SDM2016-87 末岡浩治岡山県立大
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
11月11日(金) 午後 
座長: 国清辰也 (ルネサス エレクトロ二クス)
15:40 - 16:30
(10) 15:40-16:05 ダブルゲート構造における自己無撞着モンテカルロシミュレーション SDM2016-88 坂本 萌六郷泰昭佐野伸行筑波大
(11) 16:05-16:30 a-Si pin太陽電池の自己無撞着シミュレーションとキャリアの捕獲生成過程の物理機構 SDM2016-89 鈴木 東筑波大)・吉田勝尚東大)・佐野伸行筑波大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E--mail: e3 


Last modified: 2016-09-26 14:44:24


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