6月26日(月) 午前  10:00 - 15:30
	10:00-10:10	挨拶 & SDM研究会若手優秀発表賞表彰式　（ 10分 ）
(1)	10:10-10:50	［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計 SDM2023-27	○隅田　圭・姜　旼秀・陳　家驄・トープラサートポン カシディット・竹中　充・高木信一（東大）
(2)	10:50-11:30	［記念講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 SDM2023-28	○岡　博史・稲葉　工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森　貴洋（産総研）
(3)	11:30-11:50	自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価 SDM2023-29	○奥平　諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大）
(4)	11:50-12:10	FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響 SDM2023-30	○斎藤陽斗・牧原克典・谷田　駿・田岡紀之・宮﨑誠一（名大）
(5)	12:10-12:30	熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 SDM2023-31	○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大）
	12:30-13:30	昼休憩　（ 60分 ）
(6)	13:30-14:10	［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓 SDM2023-32	○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛　埴・谷内敏之（東大）
(7)	14:10-14:50	［依頼講演］結晶相転移接合トランジスタの実証 SDM2023-33	○冨岡克広・勝見　悠・本久順一（北大）
(8)	14:50-15:30	［招待講演］加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察 ～ 多結晶Siチャネル高性能化に向けて ～ SDM2023-34	○手面　学・浅野孝典・高石理一郎・富田充裕・齋藤真澄・田中洋毅（キオクシア）
	-	研究会終了後、広島大学・ナノデバイス研究所見学（希望者対象）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	細井 卓治 （関西学院大学） ikni

Last modified: 2023-04-26 20:21:29