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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 野村 晋太郎 (筑波大), 笹子 佳孝 (日立)

日時 2013年 2月 4日(月) 10:00 - 16:50
議題 配線・実装技術と関連材料技術 
会場名 機械振興会館 地下3階 研修1号室 
交通案内 http://www.jspmi.or.jp/about/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

2月4日(月) 午前 
10:00 - 16:50
  10:00-10:05 開会の挨拶 ( 5分 )
(1) 10:05-10:45 排熱TSVへ向けたナノカーボン材料の熱特性評価 SDM2012-150 川端章夫二瓶瑞久村上 智佐藤元伸横山直樹産総研
(2) 10:45-11:25 CuSn/InAu microbump induced local deformation and mechanical stress in high-density 3D-LSI SDM2012-151 Murugesan MurugesanMitsumasa KoyanagiTohoku Univ.
(3) 11:25-12:05 Line-Edge Roughnessを考慮した微細金属配線のモンテカルロ・シミュレーション(仮題) 来栖貴史谷本弘吉和田 真磯林厚伸梶田明広青木伸俊豊島義明東芝
  12:05-13:10 昼食 ( 65分 )
(4) 13:10-13:50 原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用 SDM2012-152 多田宗弘阪本利司宮村 信伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸波田博光超低電圧デバイス技研組合
(5) 13:50-14:30 LSI配線構造中のCu/絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦 SDM2012-153 神谷庄司佐藤 尚名工大)・大宮正毅慶大)・宍戸信之小岩康三西田政弘名工大)・中村友二鈴木貴志富士通研)・野久尾毅鈴木俊明日本電子専門学校
(6) 14:30-15:10 白色LED向け高放熱性ウエハーレベル・チップスケール・パッケージの開発 SDM2012-154 秋元陽介小島章弘島田美代子富澤英之古山英人小幡 進樋口和人杉崎吉昭柴田英毅東芝
  15:10-15:25 休憩 ( 15分 )
(7) 15:25-16:05 高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術 ~ Metal-Capバリア配線技術 ~ SDM2012-155 神吉剛司池田淳也須田章一小林靖志中田義弘中村友二富士通研
(8) 16:05-16:45 無電解めっき法を用いた高アスペクト比TSVへのCuシード層形成 SDM2012-156 井上史大新宮原正三関西大)・ハロルド フィリップセンIMEC
  16:45-16:50 閉会の挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 30 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E--mail: o 


Last modified: 2013-01-16 11:15:40


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