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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2015年度)
「from:2015-05-28 to:2015-05-28」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 13:00 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 液体原料を用いた熱CVDによるグラフェンの合成 ○岸 直希・岩田鷹明・岩間一樹・包 建峰・劉 会濤・曽我哲夫（名工大）  ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18 |
我々は安全・簡便なグラフェン合成を目指し、炭素源として液体原料であるエタノールを、またキャリアガスとして窒素を用いたグラ... [more] | ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18 pp.1-4 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 13:25 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | マイクロ波表面波プラズマCVDによる多数層グラフェン合成と紫外光カットによる高品質化 ○市村 進・内田秀雄・脇田紘一（中部大）・林 靖彦（岡山大）・梅野正義（中部大） ED2015-17 CPM2015-2 SDM2015-19 |
本研究に置いては，グラフェンをバイオセンサ、生体適合材料として応用する事を主眼に置き研究を進めた。信頼性の観点、電気伝導... [more] | ED2015-17 CPM2015-2 SDM2015-19 pp.5-10 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 13:50 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | SiC基板表面における浸漬法による自己組織化膜形成 ○鈴木悠矢・広瀬雄治・玉置祥平・宮川鈴衣奈・木下隆利・江龍 修（名工大） ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20 |
高品質なGaNの結晶成長を実現するため、ペプチド素子の自己組織化を用いたSiC微細加工法を提案する。ペプチド素子のもつ電... [more] | ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20 pp.11-15 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 14:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性 ○光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 |
直径50-200 nm、高さ1500 nmのGaNナノ支柱状結晶上に直径が200-800 nm程度で厚さが50 nmの極... [more] | ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 pp.17-19 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 14:50 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | Semi-polar GaN (10-13) grown on nominal Si (001) substrate with sputtered AlN buffer layer ○Hojun Lee・Tadashi Mitsunari・Yoshio Honda・Hiroshi Amano（Nagoya Univ.） |
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| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 ○浦上法之・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 |
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し，成長条件が... [more] | ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 pp.21-26 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:40 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 伊藤義人・金子健太郎・○藤田静雄（京大） ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 |
サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らか... [more] | ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 pp.27-30 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 ○古賀優太・原田和也・花田賢志・大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 |
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] | ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 pp.31-34 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:40 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析 山口修造・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 |
GaNショットキーバリアダイオード(SBD)を高電力で使用する場合，逆方向だけでなく、順方向にも大きな電圧が印加される。... [more] | ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 pp.35-39 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 17:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション ○大石敏之・東 竜太郎・原田和也・古賀優太（佐賀大）・平間一行（NTT）・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 |
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ，Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] | ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 pp.41-44 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 17:30 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 自由電子レーザー照射による面内配向単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御の可能性 川口大貴・吉田圭佑・小林弥生・春宮清之介・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） ED2015-25 CPM2015-10 SDM2015-27 |
ホットウォール型(Hot Wall Type : HW-)CVD装置と波長800nmの自由電子レーザー(Free Ele... [more] | ED2015-25 CPM2015-10 SDM2015-27 pp.45-50 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 17:55 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | サファイア基板上におけるCo/Pt/r面配向Cr2O3積層膜の成膜条件最適化 隅田貴士・橋本浩佑・福井慎二郎・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） ED2015-26 CPM2015-11 SDM2015-28 |
r面配向[Pt/Co]3/Pt/Cr2O3積層膜をDC-RFマグネトロンスパッタ法により作製し、結晶構造解析及び磁気特性... [more] | ED2015-26 CPM2015-11 SDM2015-28 pp.51-56 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 08:40 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | ピクセル間感度差に基づく溶液電位の算出によるガラス管参照電極を不要とするpHイメージセンサ ○渡邊 愼・太齋文博・岩田達哉・石田 誠・服部敏明・澤田和明（豊橋技科大） ED2015-27 CPM2015-12 SDM2015-29 |
電気化学測定を行う際に，検体の電位を固定するために参照電極が用いられる．一般的な参照電極はガラス管を用いて構成されており... [more] | ED2015-27 CPM2015-12 SDM2015-29 pp.57-61 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 09:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用 ○熊崎祐介・渡部晃生・谷田部然治・佐藤威友（北大） ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30 |
[more] | ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30 pp.63-66 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 09:30 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 混合導電性SrFeO3-δの結晶構造と酸素透過特性 ○籠宮 功・白川史朗・柿本健一（名工大） ED2015-29 CPM2015-14 SDM2015-31 |
結晶異方性を持ち、酸素欠損量が多く、高い全導電率を示すことが知られているSrFeO3-δ(δ= ～0.25)に着目し、酸... [more] | ED2015-29 CPM2015-14 SDM2015-31 pp.67-69 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 09:55 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価 ○小濱公洋・森 祐人・加藤正史・市村正也（名工大） ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 |
SiCバイポーラデバイスにおいて重要なパラメータであるキャリアライフタイムの制限因子のひとつに表面再結合速度がある。本研... [more] | ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 pp.71-76 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 10:30 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 電気化学堆積CuxZnyS薄膜の熱処理 ○トン バインガルディ・市村正也（名工大） ED2015-31 CPM2015-16 SDM2015-33 |
[more] | ED2015-31 CPM2015-16 SDM2015-33 pp.77-80 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 10:55 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係 鈴木大司・○高野 泰・石田明広（静岡大） ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン、チオアセトアミド... [more] | ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34 pp.81-84 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 11:20 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 電気化学堆積法によるCu2O/Fe-Oヘテロ接合太陽電池の作製 ○張 朝龍（名工大）・Junie Jhon M. Vequizo（豊田工大）・市村正也（名工大） ED2015-33 CPM2015-18 SDM2015-35 |
[more] | ED2015-33 CPM2015-18 SDM2015-35 pp.85-90 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 11:45 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 電気化学堆積硫化鉄薄膜の硫黄アニール処理とZnOとのヘテロ接合への応用 ○梶間崇宏（名工大）・川井正一（デンソー）・市村正也（名工大） ED2015-34 CPM2015-19 SDM2015-36 |
電気化学堆積法は水溶液中のイオンを還元させることで薄膜を堆積させる方法である。FeS2(パイライト)は豊富かつ無毒な元素... [more] | ED2015-34 CPM2015-19 SDM2015-36 pp.91-95 |
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