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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2021年度)
「from:2021-10-21 to:2021-10-21」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-10-21 10:45 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違 ○三谷祐一郎（東京都市大）  SDM2021-44 |
本論文では、ナノエレクトロニクスで幅広く用いられているシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜へのフッ素導入の影響に関して、実... [more] | SDM2021-44 pp.1-4 |
| SDM | 2021-10-21 11:35 |
ONLINE | オンライン開催 | スパッタリング法を用いて形成した酸化ガリウム薄膜の基礎評価 ○今泉文伸（小山高専） SDM2021-45 |
[more] | SDM2021-45 pp.5-7 |
| SDM | 2021-10-21 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications ○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2021-46 |
[more] | SDM2021-46 pp.8-11 |
| SDM | 2021-10-21 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2021-47 |
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] | SDM2021-47 pp.12-15 |
| SDM | 2021-10-21 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation ○Pyo Jooyoung・Ihara Akio・Ohmi Shun-ichiro（Tokyo Tech.） SDM2021-48 |
[more] | SDM2021-48 pp.16-19 |
| SDM | 2021-10-21 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］シリコン量子コンピュータに向けたデバイス・集積化技術 ○森 貴洋（産総研） SDM2021-49 |
[more] | SDM2021-49 p.20 |
| SDM | 2021-10-21 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | TMRセンサの高感度化と生体計測への応用 ○大兼幹彦（東北大） SDM2021-50 |
強磁性トンネル接合を用いたトンネル磁気抵抗センサ (TMRセンサ) は、室温で動作可能な小型・低消費電力の磁気センサであ... [more] | SDM2021-50 pp.21-22 |
| SDM | 2021-10-21 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測 ○齊藤宏河・鈴木勇人・朴 賢雨・黒田理人（東北大）・寺本章伸（広島大）・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2021-51 |
本稿では，$10^{-17}$ Aの高精度で絶縁膜に生じる電流を計測可能な電流計測プラットフォームを応用した，SiN膜中... [more] | SDM2021-51 pp.23-26 |
| SDM | 2021-10-21 16:25 |
ONLINE | オンライン開催 | トランジスタ構造・動作領域・キャリア走行方向によるRTN挙動の統計的解析 ○秋元 瞭・黒田理人・間脇武蔵・須川成利（東北大） SDM2021-52 |
[more] | SDM2021-52 pp.27-32 |
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