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電子デバイス研究会（ED） [schedule] [select]
専門委員長 葛西 誠也 (北大)
副委員長 新井 学 (名大)
幹事 小山 政俊 (阪工大)， 山本 佳嗣 (三菱電機)
幹事補佐 川原村 敏幸 (高知工科大)， 吉田 智洋 (住友電工デバイス・イノベーション)

日時 2024年 8月23日(金)　13:00 - 16:30
議題 薄膜材料デバイス，一般 
会場名 高知工科大学 永国寺キャンパス A108教室 
住所 〒780-8515 高知県高知市永国寺町2番22号
交通案内 https://www.kochi-tech.ac.jp/about/campus/eikokuji.html
著作権に
ついて		 以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて		 この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（ED研究会）についてはこちらをご覧ください．

8月23日(金) 午後 
13:00 - 16:30
(1) 13:00-13:50 ［招待講演］金属酸化物半導体薄膜デバイスによるニューロモーフィックシステム ED2024-13 ○木村　睦（龍大）
(2) 13:50-14:15 ナノ薄膜酸化チタンを用いた薄膜トランジスタのガス・UVセンサー としての応用 ED2024-14 ○廣瀬文彦（山形大院理工）
(3) 14:15-14:40 エキシマ光アシストプロセスを用いた酸化インジウム薄膜トランジスタの作製と特性評価 ED2024-15 ○笠原綾祐・駒井伯成・和田英男・小山政俊・藤井彰彦（阪工大）・清水昭宏・竹添法隆・山口紫苑・伊藤寛泰（ウシオ電機）・前元利彦（阪工大）
  14:40-14:50 休憩　（ 10分 ）
(4) 14:50-15:15 ミストCVD法による酸化亜鉛薄膜の成膜と熱処理の特性変化 ED2024-16 ○大橋亮介・岡田達樹・ヘテット ス ワイ・安岡龍哉・川原村敏幸（高知工科大）
(5) 15:15-15:40 ミストCVD法によって成膜した非晶質Ga2O3薄膜の紫外線応答特性 ED2024-17 ○宮嵜愛実・山崎伊織・田中悠馬・小山政俊・藤井彰彦・前元利彦（阪工大）
(6) 15:40-16:05 α-(AlxGa1-x)2O3バッファ層中の欠陥評価 ED2024-18 ○安岡龍哉・劉　麗・ダン タイジャン・川原村敏幸（高知工科大）
(7) 16:05-16:30 ミストCVD法によって作製したCu薄膜とその特性 ED2024-19 ○岡田達樹・大橋亮介・安岡龍哉・す　わい・川原村敏幸（高知工科大）

講演時間
一般講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
問合先 山本 佳嗣(三菱電機)
TEL: 06-6496-9660
E--mail: YaYoguMibiElectc

小山 政俊(大阪工業大学)
TEL: 06-6167-4810
E--mail: oit 


Last modified: 2024-06-19 17:04:55


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