2月4日(月) 午前  10:00 - 16:50
	10:00-10:05	開会の挨拶　（ 5分 ）
(1)	10:05-10:45	排熱TSVへ向けたナノカーボン材料の熱特性評価 SDM2012-150	○川端章夫・二瓶瑞久・村上　智・佐藤元伸・横山直樹（産総研）
(2)	10:45-11:25	CuSn/InAu microbump induced local deformation and mechanical stress in high-density 3D-LSI SDM2012-151	○Murugesan Murugesan・Mitsumasa Koyanagi（Tohoku Univ.）
(3)	11:25-12:05	Line-Edge Roughnessを考慮した微細金属配線のモンテカルロ・シミュレーション（仮題）	○来栖貴史・谷本弘吉・和田　真・磯林厚伸・梶田明広・青木伸俊・豊島義明（東芝）
	12:05-13:10	昼食　（ 65分 ）
(4)	13:10-13:50	原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用 SDM2012-152	○多田宗弘・阪本利司・宮村　信・伴野直樹・岡本浩一郎・井口憲幸・波田博光（超低電圧デバイス技研組合）
(5)	13:50-14:30	LSI配線構造中のCu／絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦 SDM2012-153	○神谷庄司・佐藤　尚（名工大）・大宮正毅（慶大）・宍戸信之・小岩康三・西田政弘（名工大）・中村友二・鈴木貴志（富士通研）・野久尾毅・鈴木俊明（日本電子専門学校）
(6)	14:30-15:10	白色LED向け高放熱性ウエハーレベル・チップスケール・パッケージの開発 SDM2012-154	○秋元陽介・小島章弘・島田美代子・富澤英之・古山英人・小幡　進・樋口和人・杉崎吉昭・柴田英毅（東芝）
	15:10-15:25	休憩　（ 15分 ）
(7)	15:25-16:05	高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術 ～ Metal-Capバリア配線技術 ～ SDM2012-155	○神吉剛司・池田淳也・須田章一・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）
(8)	16:05-16:45	無電解めっき法を用いた高アスペクト比TSVへのCuシード層形成 SDM2012-156	○井上史大・新宮原正三（関西大）・ハロルド フィリップセン（IMEC）
	16:45-16:50	閉会の挨拶　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-: o

Last modified: 2013-01-16 11:15:40