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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 浅野 種正
副委員長 杉井 寿博
幹事 大野 守史， 川中 繁
幹事補佐 松井 裕一

信頼性研究会（R） [schedule] [select]
専門委員長 福田 収一
副委員長 柳 繁
幹事 若井 一顕， 弓削 哲史
幹事補佐 井原 惇行， 深井 佳乃

電子デバイス研究会（ED） [schedule] [select]
専門委員長 和保 孝夫
副委員長 葛原 正明
幹事 田中 毅， 新井 学
幹事補佐 高谷 信一郎， 村田 浩一

日時 2006年11月24日(金)　13:00 - 16:55
議題 半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 
会場名 （社）中央電気倶楽部 
住所 大阪市北区堂島浜2-1-25
交通案内 大阪駅より徒歩12分，JR北新地駅より徒歩6分
http://www.chuodenki- club.or.jp/map/annai.html
会場世話人
連絡先		 06-6345-6351

11月24日(金) 午後 
13:00 - 16:55
(1) 13:00-13:45 ［招待講演］トランジスタの動作点解析による故障箇所の特定 ○真田　克（高知工科大）
(2) 13:45-14:10 Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製 ○國松俊佑・今井章文（京大）・秋山賢輔（神奈川県産技センター）・前田佳均（京大）
(3) 14:10-14:35 β-FeSi2のイオンビーム合成：アニールによるSi空孔の変化 ○上西隆文・安藤裕一郎・前田佳均（京大）
(4) 14:35-15:00 トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性 ○澤田睦美・松永慎一郎（富士電機アドバンストテクノロジー）・山路将晴・北村明夫（富士電機デバイステクノロジー）・藤島直人（富士電機アドバンストテクノロジー）
  15:00-15:15 休憩　（ 15分 ）
(5) 15:15-15:40 InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 ～ (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制 ～ ○渡邊一世（NICT）・篠原啓介（Rockwell）・北田貴弘（徳島大）・下村　哲（愛媛大）・遠藤　聡・山下良美・三村高志（富士通研）・冷水佐壽（奈良高専）・松井敏明（NICT）
(6) 15:40-16:05 AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性 ○松島孝典・中嶋正裕・野本一貴・佐藤政孝・中村　徹（法政大）
(7) 16:05-16:30 ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討 ○葛西誠也・Alberto F. Basile・橋詰　保（北大）
(8) 16:30-16:55 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果 ○上野弘明・村田智洋・石田秀俊・上田哲三・上本康裕・田中　毅・井上　薫（松下電器）

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 西岡泰城（日本大学理工学部 精密機械工学科）
TEL047-469-6482,FAX047-467-9504
E--mail:etn-u,acmsk 
R 信頼性研究会（R）   [今後の予定はこちら]
問合先 若井一顕(NHK 技術局 送信技術センター 菖蒲久喜放送所)
TEL0480-85-1118,FAX0480-85-1508
E--mail: ik-dm 
ED 電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 毅（松下電器）
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E--mail: erlci
新井 学（新日無）
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E--mail: injr
高谷 信一郎（日立中研）
TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738
E--mail: crl
村田 浩一（NTT)
TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872
E--mail： aecl 


Last modified: 2006-09-26 11:48:38


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