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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 大見 俊一郎 (東工大)
副委員長 宇佐美 達矢 (日本エーエスエム)
幹事 諏訪 智之 (東北大)， 野田 泰史 (パナソニック)
幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大)， 二瀬 卓也 (サンディスク)

日時 2022年10月19日(水)　09:30 - 17:45
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 オンライン 
著作権に
ついて		 以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて		 この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（SDM研究会）についてはこちらをご覧ください．

10月19日(水) 午前  チュートリアル
09:30 - 10:20
  09:30-10:10 「半導体製造における有機物汚染」 諏訪智之(東北大学)　（ 40分 ）
  10:10-10:20 休憩　（ 10分 ）
10月19日(水) 午前  SDM 10月研究会「プロセス科学と新プロセス技術」
10:20 - 17:45
(1) 10:20-11:10 ［招待講演］エックス線光学素子のニーズ ～ 新プロセス技術への期待 ～ SDM2022-54 ○矢代　航（東北大）
(2) 11:10-11:35 次世代メモリ用薄膜の統計的解析を行う高精度・広範囲抵抗測定技術 SDM2022-55 ○光田薫未・天満亮介・間脇武蔵・黒田理人（東北大）
(3) 11:35-12:00 A study on threshold voltage control of MFSFET with ultrathin ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory applications SDM2022-56 ○Joong-Won Shin・Masakazu Tanuma・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech）
  12:00-13:15 昼食　（ 75分 ）
(4) 13:15-14:05 ［招待講演］表面熱析出法を用いた単原子層h-BN薄膜／LaB6ヘテロ構造の作製とその評価 SDM2022-57 ○長岡克己・相澤　俊・大見俊一郎（物質・材料研究機構）
(5) 14:05-14:30 強誘電体BiFeO3薄膜表面の評価と分析 SDM2022-58 ○今泉文伸（小山高専）
(6) 14:30-14:55 CrSiC薄膜抵抗体の微細構造が電気特性に与える影響 SDM2022-59 ○伊藤　望・前川和義・高橋裕治・利根川　丘（ルネサス エレクトロニクス）
  14:55-15:15 休憩　（ 20分 ）
(7) 15:15-16:05 ［招待講演］紙の基板を用いた有機強誘電体トランジスタの作製と有機太陽電池への応用 SDM2022-60 ○朴　炳垠（ソウル市大）・大見俊一郎（東工大）
(8) 16:05-16:30 A study on low-voltage operation of pentacene-based floating-gate memory utilizing Ar/N2-plasma nitridation with N-doped LaB6 metal and high-k LaBxNy insulator SDM2022-61 ○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.）
(9) 16:30-17:20 ［招待講演］CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上 SDM2022-62 ○細井卓治（関西学院大）・志村考功・渡部平司（阪大）
(10) 17:20-17:45 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 SDM2022-63 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大）
  17:45-18:15 意見交換会　（ 30分 ）

講演時間
招待講演発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 SDM幹事：諏訪 智之 （東北大学）
電話 022-795-3977
E-Mail: b6 


Last modified: 2022-09-28 17:44:41


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