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レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）

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専門委員長		浜本貴一 (九大)
副委員長		有賀博 (三菱電機)
幹事		八木英樹 (住友電工)，川北泰雅 (古河電工)
幹事補佐		永井正也 (阪大)

日時	2018年 7月12日(木)　13:00 - 16:40 2018年 7月13日(金)　09:00 - 14:55
議題	受光素子，変調器，レーザ応用，センシング応用
会場名	北海道大学工学部アカデミックラウンジ3
住所	〒060-8628 北海道札幌市北区北13条西8丁目
交通案内	北12条駅から徒歩約7分で「北13条門」，さらに約5分で工学部正面玄関 http://www.eng.hokudai.ac.jp/access/
会場世話人連絡先	藤澤剛 011-706-6542
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費について	この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（LQE研究会）についてはこちらをご覧ください．

7月12日(木) 午後光デバイス及び応用座長: 梅沢俊匡（NICT） 13:00 - 14:45
(1)	13:00-13:05	開会挨拶
(2)	13:05-13:30	光波の幾何学的変換を利用したOAM分解素子の開発 LQE2018-20	○山根啓作・脇坂勇武・渡辺悠歩（北大）・岡　和彦（弘前大）・戸田泰則・森田隆二（北大）
(3)	13:30-13:55	10W級固定間光無線給電のためのシステム構成検討 LQE2018-21	○勝田優輝・宮本智之（東工大）
(4)	13:55-14:20	Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減 LQE2018-22	○中尾　亮・佐藤具就・杉山弘樹・松尾慎治（NTT）
(5)	14:20-14:45	シリコン光プラットフォーム上のInP-SOAハイブリッド実装技術 LQE2018-23	○松本　武・倉橋輝雄（富士通研）・鴻池遼太郎・鈴木恵治郎・谷澤　健（産総研）・植竹理人・高林和雅（富士通研）・池田和浩・河島　整（産総研）・秋山　傑・関口茂昭（富士通研）
	14:45-15:00	休憩　（ 15分）
7月12日(木) 午後クロスセッション「ビヨンド400Gbpsを決めるのはデバイスか, あるいは, 実装か」座長: 尾中寛（富士通） 15:00 - 16:40
(6)	15:00-15:15	［招待講演］ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか，あるいは，実装か～今日の集積送信光モジュールを実現する実装技術と、明日のさらなる大容量化に向けて～ LQE2018-24	○望月敬太（三菱電機）
(7)	15:15-15:30	［招待講演］ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか，あるいは，実装か～ DC内およびDC間通信向けレーザチップ～ LQE2018-25	○金子俊光（住友電工）
(8)	15:30-15:45	［招待講演］ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか，あるいは，実装か～光受信モジュールの設計及び実装技術と今後に向けた取り組み～ LQE2018-26	○大畠伸夫・畑　端佳・佐藤義也・白尾瑞基・藤原諒太・山本修平（三菱電機）
(9)	15:45-16:00	［招待講演］ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか，あるいは，実装か～ InP系コヒーレントレシーバ開発の進展と光集積回路の今後の展望～ LQE2018-27	○八木英樹・井上尚子（住友電工）・沖本拓也（住友電工デバイス・イノベーション）・菊地健彦（住友電工）
(10)	16:00-16:40	ディスカッション-ビヨンド400Gbpsを決めるのはデバイスか, あるいは, 実装か
7月13日(金) 午前クロスセッション「変調器に最も適した材料系は？」座長: 川西哲也（早大） 09:00 - 12:20
(11)	09:00-09:30	［招待講演］長距離高速伝送を実現するLiNbO3変調器 LQE2018-28	○川島由匡・土居正治（富士通オプティカルコンポーネンツ）
(12)	09:30-10:00	［招待講演］デジタルコヒーレント通信用InP光変調器の技術動向 LQE2018-29	○菊池順裕（NTT）
(13)	10:00-10:30	［招待講演］高性能Si/SiGe変調器と光集積回路への応用 LQE2018-30	○藤方潤一・野口将高・高橋重樹・蔵田和彦（光電子融合基盤技研）・竹中　充（東大）・中村隆宏（光電子融合基盤技研）
	10:30-10:40	休憩　（ 10分）
(14)	10:40-11:10	［招待講演］SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望 LQE2018-31	○竹中　充・高木信一（東大）
(15)	11:10-11:40	［招待講演］EOポリマーを用いた100Gbit/s光変調器 LQE2018-32	○横山士吉（九大）
(16)	11:40-12:20	ディスカッション-変調器に最も適した材料系は？
	12:20-13:30	休憩　（ 70分）
7月13日(金) 午後変調器座長: 田中有（富士通研） 13:30 - 14:55
(17)	13:30-13:55	光変調器の性能指数に関する一考察 LQE2018-33	○山口祐也・菅野敦史・山本直克（NICT）・川西哲也（早大）
(18)	13:55-14:20	EA変調器集積DFBレーザを用いたベクトル変調に関する検討 LQE2018-34	○稲垣惠三（NICT）・プライメッツメクバングワン・ウクリットマンコン（チェンマイ大）・川西哲也（早大）
(19)	14:20-14:45	InP変調器の超広帯域化技術と高速エレクトロニクス技術の融合 LQE2018-35	○小木曽義弘・尾崎常祐・中野慎介・上田悠太・脇田　斉（NTT）
(20)	14:45-14:55	閉会挨拶

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） [今後の予定はこちら]
	問合先	八木英樹（住友電気工業） TEL 045-853-7318 E-:gi-dei 川北泰雅（古河電気工業） TEL 045-311-1219 E-:electc
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
		◎LQE研究会では平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。