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マイクロ波研究会（MW）

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専門委員長		大久保賢祐 (岡山県立大)
副委員長		真田篤志 (阪大)，平井暁人 (三菱電機)
幹事		吉田賢史 (龍谷大)，今井翔平 (村田製作所)
幹事補佐		古市朋之 (東北大)，片山光亮 (徳山高専)

電子デバイス研究会（ED）

[schedule] [select]

専門委員長		葛西誠也 (北大)
副委員長		新井学 (名大)
幹事		小山政俊 (阪工大)，山本佳嗣 (三菱電機)
幹事補佐		川原村敏幸 (高知工科大)，吉田智洋 (住友電工デバイス・イノベーション)

日時	2025年 1月23日(木)　13:00 - 17:30 2025年 1月24日(金)　10:00 - 15:00
議題	化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般
会場名	深谷公民館・深谷生涯学習センター
住所	〒366-0822 埼玉県深谷市仲町20-2
他の共催	◆IEEE MTT-S Japan Chapter；IEEE MTT-S Kansai Chapter；IEEE MTT-S Nagoya Chapter協賛
参加費について	この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（MW研究会, ED研究会）についてはこちらをご覧ください．
参加費支払い手続き期限	本研究会はハイブリッド開催です．準備の都合上，原則として開催の3日前までに受付を終了しますので，「参加費について」の聴講参加費または年間登録費のリンクからお早めにお手続きください．当日会場での現金受付はございません．なお，会議用URLなどは研究会幹事からご案内します．
オンライン開催聴講申込	こちらのフォームからお申し込みください．

1月23日(木) 午後 MW研 (1) 12:55 - 14:40
	12:55-13:00	開会あいさつ　（ 5分）
(1)	13:00-13:25	周波数及びビーム方向制御可能なマイクロストリップフィルタリングアレーアンテナ	○渡邉一瑳（埼玉大）・大平昌敬（同志社大）・馬　哲旺（埼玉大）
(2)	13:25-13:50	隣接共振器間の結合のみで実現する⼆層構造有極形フィルタリングアレーアンテナの設計	○池田千晴（埼玉大）・大平昌敬（同志社大）・馬　哲旺（埼玉大）
(3)	13:50-14:15	E面テーパー導波管を用いたチョーク広帯域化に関する実験検討	○草間裕介（東洋大）
(4)	14:15-14:40	誘電体導波路間接続アダプタの性能評価	○松平淳哉（NTTドコモ）・濱田裕史（NTTドコモ/現所属:NTT）・福田敦史・羽田文彦・鈴木恭宜（NTTドコモ）
	14:40-14:50	休憩　（ 10分）
1月23日(木) 午後 MW研 (2) 14:50 - 16:05
(5)	14:50-15:15	大電力整流用ダイオードの閾値の最適化	○廣瀬裕也・坂井尚貴・津留正臣・伊東健治（金沢工大）
(6)	15:15-15:40	高速ビームステアリングに向けた高速位相切換電流モード移相器	○小林亜彩香・今西　蓮・野坂秀之（立命館大）
(7)	15:40-16:05	水素終端ダイヤモンドRF MOSFETの高温特性評価と小信号モデリング	○古市朋之（東北大）・川島宏幸・若井知子・山口卓宏（大熊ダイヤモンドデバイス）・金子純一（北大）・梅沢　仁（大熊ダイヤモンドデバイス）・末松憲治（東北大）
	16:05-16:15	休憩　（ 10分）
1月23日(木) 午後 MW研 (3) 16:15 - 17:30
(8)	16:15-16:40	［特別講演］Sub-THz CMOS-InP Hybrid Phased-Array Transmitter	○Ibrahim Abdo・Teruo Jyo・Adam Pander・Hitoshi Wakita・Yuta Shiratori・Miwa Muto・Hiroshi Hamada・Munehiko Nagatani（NTT）・Carrel da Gomez・Chun Wang・Kota Hatano・Chenxin Liu・Ashbir Aviat Fadila・Jian Pang・Atsushi Shirane・Kenichi Okada（Science Tokyo）・Hiroyuki Takahashi（NTT）
(9)	16:40-17:05	［特別講演］帯域トリプラ：光ファイバ送信機のためのイメージ除去アナログマルチプレクサを用いた広帯域信号生成	○川原啓輔・澤田　晟・加茂　巧・楳田洋太郎・高野恭弥（東京理科大）・原　紳介（NICT）
(10)	17:05-17:30	［特別講演］Si基板上GaN-HEMTにおける基板中のRFリーク電流を考慮した半物理的大信号モデル	○山口裕太郎（三菱電機）・大石敏之（佐賀大）
1月24日(金) 午前 ED研 (1) 10:00 - 10:50
(11)	10:00-10:25	CRLH線路スタブによる広帯域高調波処理回路を用いた3.2-4.2GHz帯広帯域Sequential-LMBA	○浅見紘考（住友電工）・住吉高志・山本　洋（SEDI）・前畠　貴（住友電工）
(12)	10:25-10:50	GaN HEMTの表面・GaNトラップが低周波Yパラメータのドレイン電圧依存性に与える影響（シミュレーション）	○大石敏之・金光温大（佐賀大）・久樂　顕・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）
	10:50-11:00	休憩　（ 10分）
1月24日(金) 午前 ED研 (2) 11:00 - 11:50
(13)	11:00-11:25	MOVPE法におけるInAlGaN成長の気相反応解析	○吉岡尚輝・野々田亮平・惠良淳史・畠中　奨・小島善樹（三菱電機）
(14)	11:25-11:50	ALD-SiNx/GaN MIS界面特性における極性面及び非極性面へのドライエッチング誘起損傷とTMAH処理による回復効果	○吉嗣晃治・山田高寛・滝口雄貴・友久伸吾・長永隆志（三菱電機）・宮本恭幸（科学大）
	11:50-13:30	休憩　（ 100分）
1月24日(金) 午後 ED研 (3) 13:30 - 14:10
(15)	13:30-14:10	［招待講演］Beyond 5G応用に向けたAlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの検討	○安藤裕二・高橋英匡・牧迫隆太郎（名大）・分島彰男（熊本大）・須田　淳（名大）
	14:10-14:20	休憩　（ 10分）
1月24日(金) 午後 ED研 (4) 14:20 - 15:00
(16)	14:20-15:00	［招待講演］100 GHz帯1 W級パワーアンプ向けGaN系HEMTの開発	○尾崎史朗・熊崎祐介・中舍安宏・岡本直哉・原　直紀・多木俊裕（富士通）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
MW	マイクロ波研究会（MW） [今後の予定はこちら]
	問合先	今井翔平(村田製作所) E-: siiig もしくは吉田賢史(龍谷大学) E-: 123nsr
	お知らせ	◎【MW研からのお知らせ】 2020年度より、各年度のMW研の全発表の中から、優秀な研究発表を行った学生講演者を対象として「学生研究優秀発表賞」と「学生研究発表奨励賞」を選定します。
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	山本佳嗣(三菱電機) TEL: 06-6496-9660 E-: YaYoguMibiElectc 小山政俊(阪工大) TEL: 06-6167-4810 E-: oit