1月28日(木) 午前  10:00 - 12:00
(1)	10:00-10:30	［招待講演］Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness Down to 2 nm SDM2015-120	○Xiao Yu・Jian Kang・Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi（Univ. of Tokyo）
(2)	10:30-11:00	［招待講演］Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性 SDM2015-121	○小田　穣・佐久間　究・上牟田雄一・齋藤真澄（東芝）
(3)	11:00-11:30	［招待講演］トンネルトランジスタにおけるBTIの理解 SDM2015-122	○水林　亘・森　貴洋・福田浩一・石川由紀・森田行則・右田真司・太田裕之・柳　永勛・大内真一・塚田順一・山内洋美・松川　貴・昌原明植・遠藤和彦（産総研）
(4)	11:30-12:00	IEDM2015を振り返って 高柳真理子（東芝）
	12:00-13:30	昼食　（ 90分 ）
1月28日(木) 午後  13:30 - 16:20
(5)	13:30-14:00	［招待講演］ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象 SDM2015-123	○町田友樹・守谷　頼・佐田洋太・山口健洋・荒井美穂・矢吹直人・森川　生・増渕　覚（東大）・上野啓司（埼玉大）
(6)	14:00-14:30	［招待講演］Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス SDM2015-124	○竹中　充・金　栄現・韓　在勲・亢　健・一宮佑希・程　勇鵬・朴　珍權・金　相賢・高木信一（東大）
(7)	14:30-15:00	［招待講演］最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 SDM2015-125	○新居浩二・薮内　誠（ルネサス エレクトロニクス）・横山佳巧（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・岡垣　健・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・田中浩司・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）
	15:00-15:20	休憩　（ 20分 ）
(8)	15:20-15:50	［招待講演］次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ SDM2015-126	○池上一隆・野口紘希・高谷　聡・鎌田親義・天野　実・安部恵子・櫛田桂一・北川英二・落合隆夫・下村尚治・才田大輔・川澄　篤・原　浩幸・伊藤順一・藤田　忍（東芝）
(9)	15:50-16:20	［招待講演］極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET SDM2015-127	○井田次郎（金沢工大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-: e3

Last modified: 2016-01-06 11:05:28