研究会開催プログラム

お知らせ 2023年度・2024年度学生員会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ技術研究報告と和文論文誌Ｃの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ参加費の返金について

電子情報通信学会研究会発表申込システム
研究会開催プログラム

技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ

トップ

戻る

前のSDM研究会 / 次のSDM研究会

[HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]

[Japanese] / [English]

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

[schedule] [select]

専門委員長		渡辺重佳 (湘南工科大)
副委員長		杉井寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事		安斎久浩 (ソニー)，遠藤哲郎 (東北大)
幹事補佐		大西克典 (九工大)，小野行徳 (NTT)

日時	2009年11月12日(木)　10:00 - 16:20 2009年11月13日(金)　10:00 - 16:15
議題	プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般
会場名	機械振興会館地下３階研修１号室
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月12日(木) 午前 10:00 - 16:20
	10:00-10:10	イントロダクトリー・トーク小田中紳二（阪大）　（ 10分）
(1)	10:10-11:00	［招待講演］誘導結合通信による低消費電力3次元システムインテグレーションとその展望	○黒田忠広（慶大）
(2)	11:00-11:50	［招待講演］MOSFETコンパクトモデルと今後の展開～バルクMOSFETからマルチゲートMOSFETに向けて～ SDM2009-135	○三浦道子・三宅正尭・上口　光・楠　隼太・石村健太・菊地原秀行・Feldmann Uwe・Mattausch Hans Juergen（広島大）
	11:50-13:00	昼食　（ 70分）
(3)	13:00-13:40	［招待講演］2009 SISPADレビュー SDM2009-136	○田中克彦（MIRAI-Selete）
(4)	13:40-14:20	［招待講演］2009 SISPADレビュー (2) SDM2009-137	○小川真人（神戸大）
	14:20-14:40	休憩　（ 20分）
(5)	14:40-15:05	表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル SDM2009-138	○辻　博史（阪大/JST）・鎌倉良成・谷口研二（阪大）
(6)	15:05-15:30	回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT" SDM2009-139	○三宅正尭・舛岡弘基・ウヴェフェルドマン・三浦道子（広島大）
(7)	15:30-15:55	MEMS等価回路ジェネレータの開発 SDM2009-140	○藤原信代・浅海和雄（みずほ情報総研）・小池智之（マイクロマシンセンター）・土屋智由（京大）・橋口　原（静岡大）
(8)	15:55-16:20	CMOSバイオセンサー応用のためのデバイスモデリングとシミュレーション SDM2009-141	○宇野重康・中里和郎（名大）
11月13日(金) 午前 10:00 - 16:15
(9)	10:00-10:25	自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響 SDM2009-142	○鎌倉良成・森　伸也（阪大/JST）・谷口研二（阪大）
(10)	10:25-10:50	原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション SDM2009-143	ミリニコフゲナディ・○森　伸也・鎌倉良成（阪大/JST）
(11)	10:50-11:15	フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 SDM2009-144	○竹田　裕（NECエレクトロニクス）・河田道人（NEC情報システムズ）・竹内　潔・羽根正巳（NECエレクトロニクス）
(12)	11:15-11:40	微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション SDM2009-145	○来栖貴史・和田　真・松永範昭・梶田明広・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明・柴田英毅（東芝）
	11:40-13:00	昼食　（ 80分）
(13)	13:00-13:50	［チュートリアル招待講演］薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し～ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題～ SDM2009-146	○大村泰久（関西大）
(14)	13:50-14:40	［招待講演］微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき SDM2009-147	○竹内　潔（MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス）・西田彰男（MIRAI-Selete）・平本俊郎（MIRAI-Selete/東大）
	14:40-15:00	休憩　（ 20分）
(15)	15:00-15:25	チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用 SDM2009-148	○坂本浩則・有本　宏・増田弘生・船山　敏・熊代成孝（MIRAI-Selete）
(16)	15:25-15:50	Atomic Scale Analysis of the Degradation Mechanism of the Integrity High-k/Metal-gate Interface Caused by the Interaction between Point-Defects and Residual Strain around the Interface SDM2009-149	○Ken Suzuki・Yuta Itoh・Tatsuya Inoue・Hideo Miura（Tohoku Univ.）・Hideki Yoshikawa・Keisuke Kobayashi（National Inst. for Materials Science）・Seiji Samukawa（Tohoku Univ.）
(17)	15:50-16:15	構造緩和したSiO2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用 SDM2009-150	○川端研二・市川尚志・渡辺浩志（東芝）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	安斎久浩(ソニー) Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572 E-: HiAniny