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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2015年11月 5日(木) 10:00 - 15:20
2015年11月 6日(金) 11:00 - 15:20
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 6F 67号室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/about/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月5日(木) 午前 
座長: 安斎久浩 (ソニー(株))
10:00 - 11:50
(1) 10:00-10:50 [招待講演]半導体における不純物拡散モデリングの現状 SDM2015-84 植松真司慶大
  10:50-11:00 休憩 ( 10分 )
(2) 11:00-11:25 バルクCMOSにおけるシングルイベントラッチアップに対するDeep P-wellの効果 SDM2015-85 加藤貴志松山英也SNI
(3) 11:25-11:50 モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析 SDM2015-86 南谷夏海阪大)・Vu Truon Son Dao下ノ村和弘江藤剛治立命館大)・鎌倉良成森 伸也阪大
  11:50-13:30 昼食 ( 100分 )
11月5日(木) 午後 
座長: 園田賢一郎 (ルネサス エレクトロ二クス(株))
13:30 - 15:20
(4) 13:30-14:20 [招待講演]SISPAD 2015 レビュー SDM2015-87 三成英樹ソニー
  14:20-14:30 休憩 ( 10分 )
(5) 14:30-15:20 [招待講演]SISPAD2015レビュー SDM2015-88 國清辰也ルネサス エレクトロニクス
11月6日(金) 午前 
座長: 国清辰也 (ルネサス エレクトロ二クス(株)
11:00 - 11:50
(6) 11:00-11:50 [招待講演]歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション SDM2015-89 相馬聡文田中未来市原圭祐迫田翔太郎笹岡健二小川真人神戸大
  11:50-13:30 昼食 ( 100分 )
11月6日(金) 午後 
座長: 小田嘉則 ((株)半導体理工学研究センター)
13:30 - 15:20
(7) 13:30-14:20 [招待講演]Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用 SDM2015-90 石田秀俊石田昌宏上田哲三パナソニック
  14:20-14:30 休憩 ( 10分 )
(8) 14:30-15:20 [招待講演]界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について SDM2015-91 酒井 敦永久克己園田賢一郎ルネサス エレクトロニクス)・久田賢一新井耕一山本陽一ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング)・谷沢元昭山口泰男ルネサス エレクトロニクス

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E--mail: e3 


Last modified: 2015-10-16 19:18:15


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