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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2023年度)
「from:2024-01-31 to:2024-01-31」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 12:35 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割 ○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋（産総研）  SDM2023-74 |
高集積量子コンピュータの実現に向けて，量子ビット制御機器の機能を集積回路化して冷凍機内部で信号の送受信を行うクライオCM... [more] | SDM2023-74 pp.1-4 |
| SDM | 2024-01-31 13:05 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御 ○伊藤健治・成田哲生・井口紘子・岩崎四郎・菊田大悟（豊田中研）・狩野絵美・五十嵐信行・冨田一義・堀田昌宏・須田 淳（名大） SDM2023-75 |
AlSiO/p型GaN MOSFETにプラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を導入することで, 分極電荷を用いた... [more] | SDM2023-75 pp.5-8 |
| SDM | 2024-01-31 13:35 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術 ○田上政由（キオクシア） SDM2023-76 |
近年、3D積層デバイスは、性能向上（performance）、電力低減（power）、面積削減（area）、コスト削減（... [more] | SDM2023-76 pp.9-12 |
| SDM | 2024-01-31 14:05 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ ○小林茂樹・田代健二・峯村洋一・中上恒平・有田幸司・大橋貴志（キオクシア）・舟山幸太・酒井久弥・虫賀満輝・岡部堅一・菅野善宏・清水 悟・藤倉栄一・中江彰宏・山口謙介（ウエスタンデジタル）・山脇秀之・中嶋一明・佐藤 充（キオクシア） SDM2023-77 |
[more] | SDM2023-77 pp.13-16 |
| SDM | 2024-01-31 14:50 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善 ○鈴木都文・佐久間 究・吉村瑶子・市原玲華・松尾和展・萩島大輔・藤原 実・齋藤真澄（キオクシア） SDM2023-78 |
[more] | SDM2023-78 pp.17-19 |
| SDM | 2024-01-31 15:20 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］３次元構造強誘電体キャパシタを有する低電圧かつ高信頼性1T1C型FeRAM ～ IEDM2023報告内容 ～ ○奥野 潤・国広恭史・周藤悠介・米内飛翔・小野 凌（ソニーセミコン）・ルーベン アルカーラ（ナムラボ）・マキシミリアン レダー・コンラッド ザイダル（フラウンホーファー）・トーマス ミコラジック・ウベ シュローダー（ナムラボ）・梅林 拓（ソニーセミコン） SDM2023-79 |
[more] | SDM2023-79 pp.20-23 |
| SDM | 2024-01-31 15:50 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング ○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大） SDM2023-80 |
高いエネルギー効率をもつエッジAI計算への応用に向けて、強誘電体HfZrO2/Si FeFETを用いた物理リザバーコンピ... [more] | SDM2023-80 pp.24-27 |
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