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電子部品・材料研究会（CPM） [schedule] [select]
専門委員長 野毛 悟 (沼津高専)
副委員長 廣瀬 文彦 (山形大)
幹事 小舘 淳一 (NTT)， 岩田 展幸 (日大)
幹事補佐 坂本 尊 (NTT)， 中村 雄一 (豊橋技科大)

電子デバイス研究会（ED） [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 鈴木 寿一 (北陸先端大)， 新井 学 (新日本無線)
幹事補佐 東脇 正高 (NICT)， 大石 敏之 (佐賀大)

シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大)， 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)

日時 2017年 5月25日(木)　13:30 - 17:05
2017年 5月26日(金)　09:30 - 11:10
議題 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
会場名 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 
住所 〒464-8601, 名古屋市千種区不老町B2-4
交通案内 ・JR名古屋駅から名古屋市営地下鉄 「名古屋大学」 下車 （東山線本山駅乗換、名古屋大学まで約３０分） ・JR金山駅から名古屋市営地下鉄 「名古屋大学」 下車
http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access.html
会場世話人
連絡先		 名古屋大学 宮崎誠一
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて		 以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

5月25日(木) 午後 
13:30 - 17:05
(1) 13:30-13:55 フレキシブル基板上室内用有機薄膜太陽電池の作製と評価 ED2017-15 CPM2017-1 SDM2017-9 ○川松祐介・伊藤瑞起・加藤慎也・曽我哲夫・岸　直希（名工大）
(2) 13:55-14:20 真空蒸着法によるSnS堆積に関する研究 ED2017-16 CPM2017-2 SDM2017-10 ○高野　泰・菅沼幸雄（静岡大）
(3) 14:20-14:45 電気化学堆積法によるNiO薄膜の作製 ED2017-17 CPM2017-3 SDM2017-11 ○古山実季・市村正也（名工大）
(4) 14:45-15:10 ドロップ光化学堆積法によるn型AlOx薄膜の作製 ED2017-18 CPM2017-4 SDM2017-12 ○梅村将成・市村正也（名工大）
  15:10-15:25 休憩　（ 15分 ）
(5) 15:25-15:50 電気化学堆積法によるCu添加p型Fe-O薄膜半導体の作製 ED2017-19 CPM2017-5 SDM2017-13 ○小林悟史・市村正也（名工大）
(6) 15:50-16:15 多モード干渉を用いた表面プラズモン論理回路の開発 ED2017-20 CPM2017-6 SDM2017-14 ○渡邊　領・太田　雅・菊地裕大・平野智裕・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大）
(7) 16:15-16:40 ボウタイ型金属導波路を用いたプラズモニック保持回路の開発 ED2017-21 CPM2017-7 SDM2017-15 ○古木崇裕・太田　雅・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大）
(8) 16:40-17:05 表面プラズモンポラリトンを用いた合分波器および信号反転器の開発 ED2017-22 CPM2017-8 SDM2017-16 ○中山昂太郎・住村あさひ・外岡悠汰・太田　雅・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大）
5月26日(金) 午前 
09:30 - 11:10
(9) 09:30-09:55 GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのInGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 ED2017-23 CPM2017-9 SDM2017-17 モハマド モンズール・○森　雅之・下山浩哉・前澤宏一（富山大）
(10) 09:55-10:20 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制 ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18 ○加藤正史・市川義人・市村正也（名工大）・木本恒暢（京大）
(11) 10:20-10:45 GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価 ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19 ○浅田貴斗・市川義人（名工大）・伊藤健治・冨田一義・成田哲生（豊田中研）・加地　徹（名大）・加藤正史（名工大）
(12) 10:45-11:10 N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 ○Kiattiwut Prasertsuk・Tomoyuki Tanikawa・Takeshi Kimura・Shigeyuki Kuboya・Tetsuya Suemitsu・Takashi Matsuoka（Tohoku Univ.）

講演時間
一般講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
問合先  
ED 電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
問合先 松永 高治（日本電気)
TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253
E--mail： k-fpc
鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学）
TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455
E--mail : sijaist 
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E--mail: e3 


Last modified: 2017-03-17 19:31:57


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