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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2009年度)
「from:2010-01-13 to:2010-01-13」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2010-01-13 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | マイクロストリップ5モードステップインピーダンス共振器を用いた小型UWB帯域通過フィルタの設計 ○別府昭人・馬 哲旺（埼玉大）・陳 春平・穴田哲夫（神奈川大）・小林禧夫（埼玉大）  ED2009-174 MW2009-157 |
本研究では、マイクロストリップ5モードステップインピーダンス共振器を用いたUWBフィルタの回路解析を行い、この種の回路の... [more] | ED2009-174 MW2009-157 pp.1-6 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-13 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | FR-4基板を用いた30GHz帯BITラインフィルタ ○表 祐介・黒木太司（呉高専） ED2009-175 MW2009-158 |
[more] | ED2009-175 MW2009-158 pp.7-10 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-13 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 共振器で測定した複素誘電率による位相遅れδの評価 ○杉山順一（産総研） ED2009-176 MW2009-159 |
対象サンプルの温度を広範囲に変えられるTM0n0型円筒空洞共振器を作成し、これを用いて有機液体の複素誘電率と温度の相関を... [more] | ED2009-176 MW2009-159 pp.11-16 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-13 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | 4段コプレーナ共振器フィルタを用いたスプリアス抑制の広帯域化 ○長福隆広・出口博之・辻 幹男（同志社大）・藤田容孝（シャープ） ED2009-177 MW2009-160 |
遮蔽導体の無い開放型においてコプレーナ線路(CPW)共振器からの放射抑制と スプリアス応答抑制の特徴を併せ持つフィルタ... [more] |
ED2009-177 MW2009-160 pp.17-21 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-13 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | All-Pass/容量結合BPF切替形MMIC移相器 ○幸丸竜太・半谷政毅・重永晃一・山口真美子・檜枝護重（三菱電機） ED2009-178 MW2009-161 |
小形・広帯域な特性を有するAll-Pass/容量結合BPF切替形移相器を提案する．本移相器は，基準状態の動作を容量結合B... [more] | ED2009-178 MW2009-161 pp.23-27 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-13 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 左手系導波管の新しい構成法 池内裕章・○太田 勲（兵庫県立大）・岸原充佳（岡山県立大）・河合 正（兵庫県立大）・松本公志（古野電気） ED2009-179 MW2009-162 |
本論文は，左手系導波管を構成する二通りの手法について提案している．ひとつは，遮断領域にある方形導波管を２段に重ね，その共... [more] | ED2009-179 MW2009-162 pp.29-34 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-13 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 60GHz帯における帯域阻止形自己注入同期NRDガイドガン発振器の理論及び実験的検討 ○大上晃一・黒木太司（呉高専）・米山 務（東北工大） ED2009-180 MW2009-163 |
[more] | ED2009-180 MW2009-163 pp.35-38 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-181 MW2009-164 |
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] | ED2009-181 MW2009-164 pp.39-42 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 ○山田真之・上澤岳史・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-182 MW2009-165 |
高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考... [more] | ED2009-182 MW2009-165 pp.43-48 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2009-183 MW2009-166 |
ゲート電極直下のみに周期的メサ構造を有する多重台形チャネル(MMC: Multi-Mesa-Channel)HEMTでは... [more] | ED2009-183 MW2009-166 pp.49-53 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高性能ZnO系FETの開発 ～ デバイス応用と高周波特性 ～ ○佐々誠彦・小池一歩・前元利彦・矢野満明・井上正崇（阪工大） ED2009-184 MW2009-167 |
酸化亜鉛（ZnO）は低温成膜が可能なワイドギャップ半導体で、ガラス基板上にスパッタ法などで多結晶膜を形成し、トランジスタ... [more] | ED2009-184 MW2009-167 pp.55-60 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3/AlGaN/GaNおよびAl2O3/n-GaN構造における界面特性 ○水江千帆子・堀 祐臣・橋詰 保（北大） ED2009-185 MW2009-168 |
[more] | ED2009-185 MW2009-168 pp.61-64 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 ○林 慶寿・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2009-186 MW2009-169 |
時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa... [more] | ED2009-186 MW2009-169 pp.65-70 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs ○廣木正伸・前田就彦・重川直輝（NTT） ED2009-187 MW2009-170 |
[more] | ED2009-187 MW2009-170 pp.71-76 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT ○橋本 信・秋田勝史・田辺達也・中幡英章（住友電工）・竹田健一郎・天野 浩（名城大） ED2009-188 MW2009-171 |
[more] | ED2009-188 MW2009-171 pp.77-80 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET ○大田一樹・遠藤一臣・岡本康宏・安藤裕二・宮本広信・嶋脇秀徳（NEC） ED2009-189 MW2009-172 |
パワーエレクトロニクス応用に向け、閾値制御性に優れたノーマリオフ動作リセスゲートAlGaN/GaN HFETを開発した．... [more] | ED2009-189 MW2009-172 pp.81-85 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-15 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発 ○中舍安宏・川野陽一・鈴木俊秀（富士通）・多木俊裕（富士通研）・高橋 剛・牧山剛三・原 直紀（富士通） ED2009-190 MW2009-173 |
[more] | ED2009-190 MW2009-173 pp.87-92 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-15 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器 ○長谷宗彦・野坂秀之・山中祥吾・佐野公一・村田浩一（NTT） ED2009-191 MW2009-174 |
InP HBT技術により6 bit分解能を有する超高速のD/A変換器を実現した．高速化のためにD/A変換器をハーフレート... [more] | ED2009-191 MW2009-174 pp.93-97 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-15 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 ～ ベクトル合成型多相器の線形制御のために ～ ○野坂秀之・長谷宗彦・山中祥吾・佐野公一・村田浩一（NTT） ED2009-192 MW2009-175 |
単一電圧制御かつ線形性の優れた制御特性を持つベクトル合成型移相器を実現するためには，擬似正弦波関数を発生するアナログ電圧... [more] | ED2009-192 MW2009-175 pp.99-103 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-15 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器 ○山本和也・岡村篤司・松塚隆之・吉井 泰・鈴木 敏・中山正敏・紫村輝之・吉田直人（三菱電機） ED2009-193 MW2009-176 |
本報告では，CDMA用に開発した低電圧・広帯域動作HBT電力増幅器(PA)の設計及び実験結果について述べる．本PAは，コ... [more] | ED2009-193 MW2009-176 pp.105-110 |
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