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機構デバイス研究会 (EMD) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-08-20 to:2009-08-20」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 09:05 |
宮城 | 東北大学 | InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善 ○牛込 基・荒川太郎（横浜国大）・多田邦雄（金沢工大）  EMD2009-26 CPM2009-50 OPE2009-74 LQE2009-33 |
低い印加電界で大きな屈折率変化を得ることができるInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)をコア層に... [more] | EMD2009-26 CPM2009-50 OPE2009-74 LQE2009-33 pp.1-6 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 09:30 |
宮城 | 東北大学 | Ti拡散ErドープLiNbO3導波路の光増幅特性と光デバイス応用 ○片野祐太郎・古河原 壮・松浦 弘（早大）・品田 聡・中島慎也・川西哲也（NICT）・中島啓幾（早大） EMD2009-27 CPM2009-51 OPE2009-75 LQE2009-34 |
本研究では，結晶成長段階においてErを添加したLiNbO3結晶に対しTi拡散導波路を形成し，光増幅特性を評価した．Er濃... [more] | EMD2009-27 CPM2009-51 OPE2009-75 LQE2009-34 pp.7-11 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 09:55 |
宮城 | 東北大学 | 100Gb/s超伝送に向けた超高速LiNbO3光変調器の開発 ○菅野敦史・坂本高秀・千葉明人・川西哲也（NICT）・日隈 薫・須藤正明・市川潤一郎（住友大阪セメント） EMD2009-28 CPM2009-52 OPE2009-76 LQE2009-35 |
100Gb/s超光信号生成を目指す超高速ベクトル光変調器の開発に成功した．電気周波数特性を劣化させる原因の一つである基板... [more] | EMD2009-28 CPM2009-52 OPE2009-76 LQE2009-35 pp.13-16 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 10:30 |
宮城 | 東北大学 | 1×16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ ○種村拓夫・ソーアンジ イブラーヒム・ムラット・樋口和英・武田浩司・中野義昭（東大） EMD2009-29 CPM2009-53 OPE2009-77 LQE2009-36 |
次世代の大容量光パケットスイッチング（OPS: optical packet switching）ネットワークや光インタ... [more] | EMD2009-29 CPM2009-53 OPE2009-77 LQE2009-36 pp.17-20 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 10:55 |
宮城 | 東北大学 | 液晶装荷Si導波路を用いた対称マッハ・ツェンダー干渉計型1×8ch光スイッチの製作 ○澤 尚宏・中津原克己・中神隆清（神奈川工科大） EMD2009-30 CPM2009-54 OPE2009-78 LQE2009-37 |
柔軟なWDMネットワークを実現する為、OXCやROADMが求められている。光スイッチはその為のキーデバイスである。我々は... [more] | EMD2009-30 CPM2009-54 OPE2009-78 LQE2009-37 pp.21-25 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 11:20 |
宮城 | 東北大学 | Si導波路と相変化材料を用いた小型の自己保持型2x2光スイッチ ○伊熊雄一郎（慶大）・河島 整・金高健二（産総研）・斎木敏治・津田裕之（慶大） EMD2009-31 CPM2009-55 OPE2009-79 LQE2009-38 |
Si細線導波路と相変化材料導波路を利用した、自己保持型2x2光スイッチを提案した。本スイッチは材料の相変化に伴う屈折率変... [more] | EMD2009-31 CPM2009-55 OPE2009-79 LQE2009-38 pp.27-30 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 11:45 |
宮城 | 東北大学 | アレイ導波路回折格子とLCOSによる40波長チャネル可変分散補償器 ○大庭直樹（NTT）・鈴木賢哉（NEL）・妹尾和則・石井元速・美野真司（NTT） EMD2009-32 CPM2009-56 OPE2009-80 LQE2009-39 |
アレイ導波路回折格子（AWG）を用いたダブルパス分光光学系と，LCOS（Liquid Crystal On Silico... [more] | EMD2009-32 CPM2009-56 OPE2009-80 LQE2009-39 pp.31-35 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 13:00 |
宮城 | 東北大学 | デジタルミラーデバイスを用いた4コンテキスト光再構成 ○森田裕宣・渡邊 実（静岡大） EMD2009-33 CPM2009-57 OPE2009-81 LQE2009-40 |
[more] | EMD2009-33 CPM2009-57 OPE2009-81 LQE2009-40 pp.37-40 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 13:25 |
宮城 | 東北大学 | 36コンテキストダイナミック光再構成型ゲートアレイ ○中島真央・渡邊 実（静岡大） EMD2009-34 CPM2009-58 OPE2009-82 LQE2009-41 |
[more] | EMD2009-34 CPM2009-58 OPE2009-82 LQE2009-41 pp.41-46 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 13:50 |
宮城 | 東北大学 | 電気プラガブルソケット実装1μm帯10Gbit/s×12ch小型並列光モジュールの伝送特性 ○上村寿憲・石川陽三・根角昌伸・高橋克年・那須秀行（古河電工） EMD2009-35 CPM2009-59 OPE2009-83 LQE2009-42 |
[more] | EMD2009-35 CPM2009-59 OPE2009-83 LQE2009-42 pp.47-51 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 14:15 |
宮城 | 東北大学 | Single Package型一心双方向デバイスの開発 ○木原利彰・鈴木三千男・塩崎 学・中西裕美（住友電工） EMD2009-36 CPM2009-60 OPE2009-84 LQE2009-43 |
一つのパッケージ上にLDとPDを搭載したSingle Package型一心双方向デバイスを開発した。課題のクロストークを... [more] | EMD2009-36 CPM2009-60 OPE2009-84 LQE2009-43 pp.53-58 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 14:50 |
宮城 | 東北大学 | 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発 ○山本直克・赤羽浩一・川西哲也・カトフ レドワン（NICT）・外林秀之（NICT/青学大） EMD2009-37 CPM2009-61 OPE2009-85 LQE2009-44 |
[more] | EMD2009-37 CPM2009-61 OPE2009-85 LQE2009-44 pp.59-62 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 15:15 |
宮城 | 東北大学 | ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED ○鈴木勇介・川島史裕・斉藤泰仁・下村和彦（上智大） EMD2009-38 CPM2009-62 OPE2009-86 LQE2009-45 |
キャリアを0次元に閉じ込める構造を持つ量子ドットは独特な特性を持つとされている．そして量子ドットはレーザやLEDのような... [more] | EMD2009-38 CPM2009-62 OPE2009-86 LQE2009-45 pp.63-68 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 15:40 |
宮城 | 東北大学 | 高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作 ○天野 建・菅谷武芳・小森和弘・森 雅彦（産総研） EMD2009-39 CPM2009-63 OPE2009-87 LQE2009-46 |
量子ドットレーザは超低しきい値、高速変調動作、温度無依存化などが可能な次世代半導体レーザとして期待されている．我々はこれ... [more] | EMD2009-39 CPM2009-63 OPE2009-87 LQE2009-46 pp.69-72 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 16:15 |
宮城 | 東北大学 | 波長1.5 um帯無変調出力型13C2H2(アセチレン)周波数安定化半導体レーザの発振特性 ○葛西恵介・中沢正隆（東北大） EMD2009-40 CPM2009-64 OPE2009-88 LQE2009-47 |
狭線幅かつ低振幅雑音特性を有する、無変調出力型アセチレン周波数安定化半導体レーザについて報告する。今回用いたInP半導体... [more] | EMD2009-40 CPM2009-64 OPE2009-88 LQE2009-47 pp.73-76 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 16:40 |
宮城 | 東北大学 | メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価 菅原雄大・牛尾拓也・○宮本智之（東工大） EMD2009-41 CPM2009-65 OPE2009-89 LQE2009-48 |
フォトニクス分野で様々な応用が進む面発光レーザについて，素子サイズ微小化，低消費電力化，高効率化を目指して，注入キャリア... [more] | EMD2009-41 CPM2009-65 OPE2009-89 LQE2009-48 pp.77-82 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 17:05 |
宮城 | 東北大学 | GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振 ○黄 晋二・藤野寛之・河口仁司（奈良先端大） EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49 |
半導体レーザの活性層において電子スピン偏極を生じさせることにより、光学遷移選択則を介した円偏光レーザ発振が可能となる。G... [more] | EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49 pp.83-88 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 17:30 |
宮城 | 東北大学 | 波長1.1 um VCSELの利得スイッチングによる10 GHz-11.5 psパルス発生 ○小泉健吾・吉田真人・中沢正隆（東北大） EMD2009-43 CPM2009-67 OPE2009-91 LQE2009-50 |
面発光レーザ(Vertical Cavity Surface Emitting Laser: VCSEL)は低しきい値発... [more] | EMD2009-43 CPM2009-67 OPE2009-91 LQE2009-50 pp.89-92 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-21 09:00 |
宮城 | 東北大学 | 半導体量子井戸型素子を可飽和吸収体として用いた受動モード同期フェムト秒ファイバソリトンレーザ ○正田史生・中沢正隆（東北大）・秋本良一・石川 浩（産総研） EMD2009-44 CPM2009-68 OPE2009-92 LQE2009-51 |
半導体量子井戸中のサブバンド間遷移(Intersubband transition : ISBT)は、ある一定以上のTM... [more] | EMD2009-44 CPM2009-68 OPE2009-92 LQE2009-51 pp.93-96 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-21 09:25 |
宮城 | 東北大学 | 光周波数および繰り返し周波数を同時安定化した40 GHz再生モード同期パルスレーザ ○吉田真人・葛西恵介・中沢正隆（東北大） EMD2009-45 CPM2009-69 OPE2009-93 LQE2009-52 |
繰り返し周波数が10～40 GHzであるピコ秒短パルス光源の開発は，超高速光通信，マイクロ波フォトニクス，ならびに光度量... [more] | EMD2009-45 CPM2009-69 OPE2009-93 LQE2009-52 pp.97-102 |
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